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  1. (Dept. of Environments&Safety, Hanwha Corporation Gumi Plant, Korea)



Tesla transformer, Magnetic core, Eddy current loss, Magnetizing inductance, Stray inductance, Explosives materials

1. 서 론

화약류를 취급하는 공정 및 작업은 상용 모바일 기기에서 발생하는 전자파에 의해 예상하지 못한 기폭사고가 발생할 확률이 높다고 가정할 수 있다. 현재 상용 모바일 기기에서 발생하는 전자기파의 세기에 따른 화공품의 기폭 발생 가능성에 대한 정량적인 실험 결과 데이터가 없는 상황이다.

정량적인 실험 데이터를 확보하기 위해서는 고출력 고반복의 전자파 방사장치를 통해 화약류에 직접 영향을 줄 수 있어야 한다. 이러한 전자파 방사장치를 구동시키기 위해서는 전원공급장치가 필요하다. 이러한 전원공급장치에 사용되는 테슬라 변압기의 자성재료는 에너지 효율 향상에 영향을 준다.

또한, 테슬라 변압기에 마그네틱 코어를 삽입하는 이유는 1, 2차 코일 사이의 자속 손실을 최소화하고 1차 코일의 인덕턴스 값을 증가시킴으로써 테슬라 변압기의 등가회로에서 가장 중요한 회로정수인 자화 인덕턴스(Magnetized inductance) 값을 같이 증가시키려는데 목적이 있다.

하지만 1차 코일의 인덕턴스 값을 증가시키면 코어 표면에 와전류(Eddy current)가 유도되어 누설 인덕턴스(Leakage inductance) 값 역시 증가하게 된다(1). 이러한 누설 인덕턴스를 줄이는 방법은 마그네틱 코어에 유도되는 와전류 손실(Eddy current loss)을 줄이는 것이다. 그 방법으로 마그네틱 코어에 적층되는 자성재료의 적층 형태를 변형하여 와전류를 감소시키는 방법이 있다(2).

본 논문에서는 마그네틱 코어에 적층되는 자성재료의 적층 방법을 ① 단순 적층 형태, 그리고 타 논문을 참고로 한 ② 나선형 적층 형태, ③ 4분할 적층 형태의 두 가지 형태와 ④ 방사형 적층 형태 (설계 모델)의 총 네 가지의 적층 형태를 시뮬레이션 및 계산을 통하여 어떤 형태의 자성재료 적층이 와전류 손실이 가장 적고 가장 높은 자화 인덕턴스 값을 갖는지를 살펴보고자 한다(3).

2. 실험설계 및 계산방법

2.1 Calculation of Eddy Current Loss

테슬라 변압기를 설계할 때는 삽입되는 마그네틱 코어의 재료에 따른 철손, 코어에 적층되는 자성재료의 종류에 따라 히스테리시스손(Hysteresis loss) 그리고 1, 2차 코일에서 발생하는 B field에 의해 코어 표면에 와전류가 발생한다. 와전류는 그림 1에서와 같이 적층된 형태의 코어의 표면에 B field가 인가될 때 발생하게 되고 이에 따라 와전류 손실이 발생하게 된다.

그림 1 적층된 형태의 코어($l\gg a$)(4)

Fig. 1 Lamination of Core(4)

../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/fig1.png

그림 1에서의 $l$은 길이, $a$는 적층 두께를 의미한다. 와전류 손실을 계산하기 위해서는 먼저 마그네틱 코어에 인가되는 J (Current density)와 B field의 분포를 계산하여야 한다(4,6). Maxwell 방정식에서부터 H field를 식 (1)과 같이 계산할 수 있다.

(1)
$\nabla\times\vec{H}(t)=\sigma\vec{E}(t)$

위 식의 양변에 Curl을 하여 다음 식 (2)를 구할 수 있다.

(2)
$-\nabla^{2}\vec{H}(t)+\nabla[\nabla\bullet\vec{H}(t)]=-\sigma\partial\vec{B}(t)/\partial t$

여기서 $\vec{B}(t)=\mu\vec{H}(t)$를 이용하면 식 (3)으로 정리할 수 있다.

(3)
$\nabla^{2}\vec{B}(t)=\sigma\mu\partial B(t)/\partial t$

식 (3)으로부터 표면에 유도되는 $\vec{J}(t)$ 또한 다음 식 (4)와 같이 구할 수 있다.

(4)
$\nabla^{2}\vec{J}(t)=\sigma\mu\partial\vec{J}(t)/\partial t$

여기서 $\vec{J}(t)$가 아래의 식 (5)와 같은 지수함수적 감쇄하는 형태의 함수라고 가정한다면 식 (4)식 (6)으로 정리할 수 있다.

(5)
$\vec{J}(t)=Re(\vec{J}e^{j\omega t})$

(6)
$\nabla^{2}\vec{J}=j\omega\sigma\mu\vec{J}$

경계조건을 이용하여 전류밀도 $J_{z}$를 구하면 다음 식 (7)로 도출할 수 있다.

(7)
$J_{z}=(j\omega\sigma\Phi /2)[\dfrac{\sinh^{2}(x/\delta)+\sin^{2}(x/\sigma)}{\sinh^{2}(a/2\delta)+\sin^{2}(a/2\delta)}]$

이렇게 구해진 전류밀도($J$)는 식 (3)에서 구한 B와 아래와 같은 관계를 갖는다. 먼저 Maxwell 방정식으로부터 $\vec{E}(t)=Ee^{j\omega t}$와 $J=\sigma E$의 관계를 이용하여 식 (8)식 (9)로 변형한 후 Curl 계산을 하면 식 (10)의 결과를 얻을 수 있다.

(8)
$\nabla\times\vec{E}(t)=-\partial\vec{B}(t)/\partial t$

(9)
$\nabla\times\vec{j}=-j\omega\sigma\vec{B}$

(10)
$-\partial J_{z}/\partial x=-j\omega\sigma B_{y}$

최종적으로 구한 $B_{y}$는 다음 식 (11)과 같고, 와전류는 코어의 y축 방향에 수직한 자기장 값으로 구할 수 있다.

(11)
$B_{y}=(\Phi T/2l)\bullet(\cosh Tx/\sinh Ta/2)$

지금까지의 계산 결과로부터 와전류 손실을 계산할 수 있는데 일정 시간($t_{1}$~$t_{2}$) 동안의 손실은 다음 식 (12)로부터 구할 수 있다.

(12)
$P_{e}=1/2R_{e}\int_{V}\int_{t_{1}}^{t_{2}}J^{2}(t)/\sigma dtd V=\int_{V}| J |^{2}2\sigma d V$

그림 2 부피요소를 보여주는 적층된 형태의 코어(4)

Fig. 2 Lamination of core showing element of volume(4)

../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/fig2.png

그림 2의 코어에서의 와전류 손실은 식 (12)를 활용하여 다음식 (13)과 같이 계산할 수 있다.

(13)
\begin{align*} P_{e}=2\int_{0}^{\dfrac{a}{2}}\left | J_{z}\right |^{2}/2\sigma bldx \\ =(\dfrac{\omega^{2}|\Phi |^{2}\sigma b\delta}{8l})(\dfrac{\sinh(\dfrac{a}{\delta})-\sin(\dfrac{a}{\delta})}{\cosh(\dfrac{a}{\delta})-\cos(\dfrac{a}{\delta})})\\ =Kef^{2}\left | B_{y}\right |^{2}a^{2}bl[W] \end{align*}

2.2 Calculation of Magnetization Inductance

마그네틱 코어가 삽입되는 테슬라 변압기를 구성하는 기본회로는 그림 3, 등가회로는 그림 4로 나타낼 수 있다. 테슬라 변압기의 기본회로를 등가회로로 바꾸면서 가장 중요한 회로정수는 자화 인덕턴스 값이다. 이 자화 인덕턴스 값은 테슬라 변압기의 에너지 효율을 결정하는 중요한 요소가 되는 회로정수이다.

그림 3 고전압 변압기 기본회로

Fig. 3 Electric circuit of high voltage transformer

../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/fig3.png

그림 4 고전압 변압기 등가회로

Fig. 4 Equivalent circuit of high voltage transformer

../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/fig4.png

B field로 인한 에너지는 식 (14)와 같다.

(14)
$\dfrac{1}{2}L_{\mu}I^{2}=\dfrac{1}{2}\int\vec{B}\bullet\vec{H}d V$

식 (14)로부터 자화 인덕턴스는 식 (15)로 구할 수 있다.

(15)
$L_{\mu}=\dfrac{1}{I^{2}}\int\vec{B}\bullet\vec{H}d V$

식 (15)를 이용하여 구한 자화 인덕턴스는 테슬라 변압기에서 1, 2차 코일의 구조에 의해 결정되는 H field의 분포도를 고려하여 계산해야 한다.

그림 5 변압기 자기 코어 단면도(H field 분포도)(5)

Fig. 5 Cross section of magnetic cores in the transformer(H field distribution map)(5)

../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/fig5.png

H field 분포도를 고려하여 자화 인덕턴스 값을 유도하면 식 (16)과 같다(9).

(16)
\begin{align*} L_{\mu}=\dfrac{1}{I^{2}}[\mu H^{2}S_{1}l+\mu H_{3}^{2}S_{2}l+2\pi\mu_{0}l_{3}\int_{r_{1}}^{r_{2}}H_{2}^{2}rdr \\ +2\pi\mu_{0}l_{2}\int_{r_{1}}^{r_{2}}H_{4}^{2}rdr] \end{align*}

코어 단면에서 와전류에 의한 H field의 불완전 분포(non-uniform distribution)효과를 고려하지 않았을 때 Maxwell 방정식($\vec{B}\bullet d\vec{S}=0$)으로부터 식 (17)식 (18)을 구할 수 있다.

(17)
$\oint\vec{B}\bullet d\vec{S}=\mu H_{1}S_{1}-2\pi r\mu_{0}l_{3}H_{2}(r)=0$

(18)
$\oint\vec{B}\bullet d\vec{S}=\mu H_{1}S_{1}-2\pi r\mu_{0}l_{2}H_{4}(r)=0$

내부와 외부 코어에서의 magnetic flux 보존을 생각해보면($\Phi = H_{1}S_{1}=H_{3}S_{2}$) 아래 식 (19)와 같이 각 H field를 유도할 수 있다.

(19)
$H_{2}=\dfrac{\mu_{r}S_{1}H_{1}}{2\pi rl_{3}},\: H_{3}=\dfrac{S_{1}}{S_{3}}H_{1}=\dfrac{1}{\alpha}H_{1},\: H_{4}=\dfrac{\mu_{r}S_{1}H_{1}}{2\pi l_{2}}$

앙페르의 법칙(Ampere’s law) $\oint\vec{H}\bullet d\vec{l}=N_{1}I_{1}$ 을 이용하면 식 (20)을 구할 수 있다.

(20)
$H_{1}l+\int_{r_{1}}^{r_{2}}H_{2}dr+H_{3}l+\int H_{4}dr=0$

식 (20)식 (19)를 대입하여 정리하면 식 (21)으로 정리할 수 있다.

(21)
$H_{1}=\dfrac{2\pi N_{1}l_{1}\alpha l_{2}l_{3}}{2\pi l\alpha l_{2}l_{3}+2\pi ll_{2}l_{3}+\mu_{r}S_{1}\alpha l_{2}\ln\dfrac{r_{2}}{r_{1}}+\mu_{r}S_{1}\alpha l_{3}\ln\dfrac{r_{2}}{r_{1}}}$

이렇게 정리된 식 (19)식 (21)식 (16)에 대입하여 정리하면 자화 인덕턴스 값은 식 (22)로 구할 수 있다.

(22)
$L_{\mu}=\dfrac{\begin{aligned}H_{1}^{2}(2\mu S_{1}l\alpha^{2}\pi l_{2}l_{3}+2\mu S_{2}l\pi l_{2}l_{3}+\mu_{0}\ln\dfrac{r_{2}}{r_{1}}\mu_{r}^{2}S_{1}^{2}\alpha^{2}l_{2}\\ +\mu_{0}\ln\dfrac{r_{2}}{r_{1}}\mu_{r}^{2}S_{1}^{2}\alpha l_{3})\end{aligned}}{\alpha_{2}\pi l_{2}l_{3}}$

누설 인덕턴스($L_{s}$)는 1차 권선의 전류 $I_{1}$에 의해 생성되는 H field를 $H_{p}$, 2차 권선의 전류 $I_{2}$에 의해 생성된 역방향의 H field를 $H_{s}$라고 할 때, 식 (23)로 정의할 수 있다.

(23)
$L_{s}=\dfrac{\mu}{I_{s}^{2}}\int(H_{p}-H_{s})^{2}d V$

여기서 $H_{1}^{'}$, $H_{2}^{'}$, $H_{3}^{'}$, $H_{4}^{'}$를 자화 인덕턴스를 구할 때와 같은 방식으로 이번엔 2차 코일에 의한 자계라고 가정한다면 누설 인덕턴스는 식 (24)로 구할 수 있다.

(24)
\begin{align*} L_{s}=\mu S_{1}l(H_{1}-H_{1}^{'})^{2}+\mu(H_{3}-H_{3}^{'})\\ +2\pi\mu_{0}l_{3}([(H_{2}r)^{2}+(H_{2}^{'}r)^{2}-2(H_{2}r)(H_{2}^{'}r)]\\ +2\pi\mu_{0}l_{2}[(H_{4}r)^{2}+(H_{4}^{'}r)^{2}-2(H_{4}r)(H_{4}^{'}r)] \end{align*}

경험식에 의하면, 고전압 변압기의 결합계수는 다음과 같이 정의할 수 있다(6,7).

(25)
$k^{2}\approx 1-\dfrac{2}{3}[\dfrac{r_{2}^{2}}{l_{k}(l_{T}-l_{k})}]F(\beta)= 1-\dfrac{L_{s}}{L_{\mu}}$

(26)
$F(\beta)=\dfrac{(\beta -1)(2\beta +1)}{\beta^{2}}\ln(\beta),\:\beta =\dfrac{r_{2}}{r_{1}}$

식 (25)과 (26)에서 $l_{T}$는 마그네틱 코어의 길이, $l_{k}$는 1차와 2차 권선의 세로 길이(longitudinal length), $r_{2}$는 외경, $r_{1}$은 내경이며, 결합계수가 1에 가까울수록 자속의 손실을 최소화하여 에너지 효율을 높일 수 있다.

또한, 식 (27)과 같이 1차 인덕턴스는 자화 인덕턴스와 누설 인덕턴스의 합으로, 2차 인덕턴스는 1차 권선수와 2차 권선수의 비의 제곱에 비례하며, 자화 인덕턴스와 비례관계이다(1).

(27)
$L_{1}=L_{\mu}+L_{s},\: L_{2}=(\dfrac{N_{2}}{N_{1}})^{2}L_{1}$

(28)
$\eta_{Q}\approx 1-\dfrac{1}{1+\alpha}(1-e^{-\dfrac{\pi}{Q_{e}}})$

(29)
$\eta_{\mu\alpha}\approx\dfrac{4\alpha}{(1+\alpha)^{2}}\left\{1-\dfrac{L_{s}}{L_{\mu}(1+\alpha)^{2}}[\alpha^{2}\dfrac{\pi^{2}}{2}+(\alpha -1)^{2}]\right\}$

고전압 변압기 에너지 전달효율($\eta_{_{TT}}$)은 저항에 의한 손실을 고려한 에너지 전달효율($\eta_{Q}$, 식 (28))과 저항에 의한 손실이 없는 에너지 전달 효율($\eta_{\mu\alpha}$, 식 (29))의 곱으로 정의된다(6).

특히, 공진인 경우($\alpha =1$)를 적용하게 되면 $\eta_{\mu\alpha}=\eta_{\mu}$이며, 식 (29)를 활용하여 식 (30)로 간단히 정리할 수 있다(8).

(30)
$\eta_{\mu}\approx 1-\dfrac{\pi^{2}}{8}\dfrac{L_{s}}{L_{\mu}}$

에너지 효율을 높이는 방법은 자화 인덕턴스를 높이거나 누설 인덕턴스를 줄이는 방법이 있다. 식 (25)식 (27)에서 알 수 있듯이 자화 인덕턴스 값을 높이려면 1, 2차 코일의 인덕턴스 값을 높이는 방법과 구조적인 결합을 통하여 높이는 것으로 가능하지만, 구조적인 결합에 의한 누설 인덕턴스 값도 같이 높아짐으로 에너지 효율을 극대화하는데 제약이 따른다.

따라서 식 (30)에서 알 수 있듯이 에너지 효율을 높이기 위해 누설 인덕턴스를 줄여 와전류 손실을 줄이는 방법을 선택하였고. 그 방법으로 마그네틱 코어의 자성재료의 적층 모델링을 실시하였다.

2.3 Modeling of Magnetic Core

코어 외부에 인가되는 형태의 B field에 의하여 형성되는 와전류와 테슬라 변압기의 등가회로를 구성하는 가장 중요한 회로정수인 자화 인덕턴스 값을 계산하기 위한 마그네틱 코어의 4가지 형태의 자성재료 적층 형태의 모델링은 그림 6과 같이 단순 적층, 나선 적층, 4분할 적층, 방사형 적층의 형태로 모델링 하여 시뮬레이션을 실시하였다.

그림 6 4가지 적층 형태 (y축 절단면)

Fig. 6 Four lamination types (Y-axis cutting plane)

../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/fig6.png

그림 6의 네 가지 코어의 차이점은 자성재료의 적층 형태에 있다. 단순 적층 코어는 동일한 두께의 자성재료가 순차적으로 원통 모양으로 동일하게 적층되어 있는 형태이고, 나선 적층 코어는 Helical 형태로 자성재료가 적층되어 있다. 또한, 4분할 적층 형태의 코어는 동일하게 적층되어 있는 자성재료가 90도의 회전된 형태로 각 분할영역에 놓여있는 구조이다. 그리고 본 논문에서 제시하는 코어의 형태는 동일 형태로 적층된 자성재료를 후가공하여 방사 형태로 코어에 붙인 실제 가공 형태를 그대로 모델링 하였다.

3. 시뮬레이션 결과 및 고찰

3.1 Result of Eddy Current Loss

네 가지의 적층 형태의 각 코어에서의 와전류 손실을 계산하기 위한 B field를 계산하기 위하여 전자기장 시뮬레이션 소프트웨어(Electromagnetic field simulation software)인 CST를 활용하였다.

시뮬레이션 결과를 그림 7에 나타내었고, 각 적층 형태의 코어의 표면에서의 $B_{y}$값을 확인할 수 있다. 시뮬레이션 결과 와전류 손실 계산에 있어 중요한 field 요소인 $B_{y}$값의 결과로 알 수 있는 사실은 앞서 살펴본 와전류 손실을 구하는 식 (13)에서 의미하는 바와 같이 $B_{y}$값이 클수록 와전류 손실은 제곱에 비례하여 커진다는 것을 알 수 있다. 그림 7은 적층 형태별로 B field 값이 단순적층은 1,676[$Vs/m^{2}$], 나선형 적층은 468.2[$Vs/m^{2}$], 4분할 적층은 732.1[$Vs/m^{2}$], 설계 모델인 방사형 적층은 443.6[$Vs/m^{2}$]으로 확인하였다. 각 B값을 비교해보면 방사형 적층 형태의 코어가 와전류 손실이 가장 적다는 것을 알 수 있다.

그림 7 4가지 마그네틱 코어 표면에서의 $B_{y}$ 변화

Fig. 7 The change of $B_{y}$ on the surface of four types magnetic core

../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/fig7.png

3.2 Result of Magnetization Induction

CST EM(Computer Simulation Technology Electro Magnetic)을 이용한 4가지 형태의 자기 코어 모델링의 시뮬레이션 결과를 바탕으로 자화 인덕턴스와 누설 인덕턴스 및 에너지 효율 결과를 계산하여 표 1에 정리하였다.

4가지 모델링의 시뮬레이션 결과를 바탕으로 에너지 효율을 계산하였을 때 본 논문에서 제시하는 모델만이 약 51.4%의 에너지 효율을 나타내고 있음을 알 수 있다.

표 1 4가지 모델의 인덕턴스 및 에너지 효율

Table 1 The inductance and energy efficiency of the four models

model

$L_{1}$

[$n H$]

$L_{2}$

[$m H$]

$L_{\mu}$

[$n H$]

$L_{s}$

[$n H$]

$\eta_{e}$

[$\%$]

단순

적층

772.41

743.67

743

32

48.2

나선

적층

775.52

745.47

745

32

48.4

4분할

적층

674.73

638.96

638

24

45.6

설계

모델

784.20

749.58

749

26

51.4

4. 결 론

CST EM 시뮬레이션을 통하여 와전류 손실이 테슬라 변압기에 삽입되는 코어의 자성재료 적층 형태에 따라서 달라짐을 알 수 있었다.

본 논문에서 제시하는 4번째 적층 형태인 방사형 적층 형태가 가장 적은 와전류 손실을 나타냄을 알 수 있었다. 이 결과를 바탕으로 자화 인덕턴스를 계산하였고, 계산된 자화 인덕턴스로부터 에너지 효율을 계산한 결과, 자성재료 적층 모양에 따라 각각 48.2%(단순 적층), 48.4%(나선 적층), 45.6%(4분할 적층), 51.4%(방사형 적층)임을 확인하였다.

에너지 효율이 좋은 자기 코어를 가진 변압기를 활용하면 성능이 뛰어난 고전압 전원장치 제작이 가능하여 여러 분야에 응용할 수 있다. 대표적으로 입자물리학 연구를 위한 전자빔 가속분야, 고전압 방전현상 연구분야, 방사선 의료분야, 무기체계 연구분야, 전자기파 방사장치에 공급하는 고전압 전원장치 제작에 활용할 수 있다.

본 논문의 연구 결과를 통해 점화원 중 하나인 RF에 의해 화약류가 어떠한 영향을 받는지 확인할 수 있는 S-Band 대역대의 전자기파 방사장치를 구동시키는 효율성이 뛰어난 고출력 고반복의 고전압 전원장치를 개발하는데 필요한 자료가 될 것으로 생각한다.

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저자소개

김부건(Bu-Geon Kim)
../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/au1.png

He was born in the Republic of Korea in 1982.

He joined Hanwha Corporation, Seoul, where he is currently a Senior Researcher Engineer.

Currently, he is a Master’s course in electrical engineering in Kyungpook National University, Daegu, Korea.

His current research interests include development of high voltage power supplies and applied computational electromagnetics

박승혁(Seung-Hyuk Park)
../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/au2.png

He was born in Uijeongbu, Republic of Korea, in 1980.

He received the M.S. degree in physics and astronomy from Seoul National University, Seoul, in 2011.

He joined Hanwha Corporation, Seoul, where he is currently a Senior Researcher Engineer.

His current research interests include applied computational electromagnetics and high power microwave

김진규(Jin-Gyu Kim)
../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.4.650/au3.png

He received the Ph.D. degree in electrical engineering from Kyungpook National University, Daegu, Korea, in 1998.

Currently, he is a Professor in the School of Electronic and Electrical Engineering, Department of Electrical Engineering at Kyungpook National University, Daegu, Korea.

His research interests include HVDC, EHD, and plasma applications