홍영훈
(Young-Hun Hong)
1iD
장이랑(蔣一朗)
(Yilang Jiang)
2iD
김주호
(Ju Ho Kim)
†iD
-
(Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.)
-
(Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.)
Copyright © The Korean Institute of Electrical Engineers(KIEE)
Key words
Inductively coupled plasmas, Plasma characteristics, EM field distribution, COMSOL simulation
1. 서 론
유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)는 낮은 가스 압력에서도 높은 플라즈마 밀도를 얻을 수 있으며 RF 바이어스(bias)
전압을 추가하여 이온 포격 에너지(ion bombardment energy)를 독립적으로 제어할 수 있다는 장점(1-3)으로 반도체 제조 공정 중, 특히 건식 식각 공정에서 많이 사용되고 있다. 최근 반도체 제조 공정은 시장에서 요구되는 성능이 향상되어감에 따라 칩의
크기는 더욱 소형화되고 고집적화 되어 점차 복잡해지고 다양해지는 등, 더욱 난이도가 상승하고 있다(1,4,5). 이러한 현재의 추세에서 공정의 수율을 높이고 소모되는 자원을 최소화하기 위해서 고밀도 및 고효율 플라즈마 발생이 요구되고, 높은 바이어스 전압의
인가는 거의 필수적이 되었다(6-14).
일반적으로 고밀도 플라즈마를 달성하기 위하여 상부에 고주파수(수 MHz에서 수십 MHz)의 전력원이 연결된 평면형 안테나(top planar antenna)와
하부에 높은 이온 포격 에너지를 얻기 위한 낮은 주파수(수백 kHz)의 전력원이 연결된 바이어스 극판이 같이 설치되는 챔버 구조를 주로 사용하게 된다(15). 안테나와 극판의 전력인가 비율에 따라, 전자에너지 분포 함수, 플라즈마 밀도, 그리고 플라즈마 전자 동역학은 변경될 수 있다 (16). 이러한 결과는 플라즈마 방전 특성의 물리적 특성을 이해하는 것뿐만 아니라 반도체 공정에서 최적 방전 조건 도출에 도움이 될 수 있다.
최근, 경제적이며 동시에 빠른 플라즈마 처리를 위해 큰 챔버 직경(대면적)을 가지면서도 작은 챔버 길이가 요구되고 있다. 하지만 대면적 처리를 위하여
제작된 챔버는 필연적으로 안테나 크기가 증가되고, 상부판(쿼츠, quartz)과 안테나의 증가된 무게 때문에 금속과 같은 구조물이 추가될 수 있으며,
안테나와 금속 구조물간의 전기적 특성이 변경될 수 있다. 이와 같은 변화로 인해 상부 유도 결합 플라즈마 발생원의 임피던스가 변경될 수 있으며, 저항의
증가로 인한 플라즈마로의 전력 전달 효율이 감소될 수 있다(17-19). 플라즈마의 특성은 인가해준 전력이 아니라 플라즈마에 흡수된 전력에 따라 결정되므로, 챔버 디자인 변경으로 인한 전력 전달 효율의 변화는 고효율
및 고수율을 요구하는 산업에서 매우 중요한 문제이다.
수십 년간 ICP에서 전력 전달 효율을 측정하는 다양한 방법이 연구되어왔다(19-24). 일반적으로 전력 전달 효율의 측정은 전체 방전 시스템에서 흐르는 전류와 안테나의 전압 등의 전기적 특성을 기반으로 계산된다. Hopwood 등은
ICP에서 플라즈마에 전달되는 전력을 계산하는 방법을 제안했다(21). Godyak 등은 방전 시스템에서 손실되는, 즉 플라즈마에 전달되는 전력을 제외한 손실 전력을 결정하는 실험적인 방법을 연구하였다(22,23). 또한 최근에 Hwang 등은 방전 시스템의 저항을 구하여 인가되는 전력에서 시스템에서 소모되는 전력을 제거하여 전력 전달 효율을 측정하는 방법을
제안하였다(19). 이러한 전기적 특성을 기반으로 측정하는 방식은 안테나에 흐르는 전류에 의해 발생하는 전기장과 자기장에 의한 효과를 고려해야 한다. 특히 플라즈마가
발생되는 공간 사이즈, 즉 챔버 내경(inner radius)과 길이에 따른 정전기 및 자기 결합(electrostatic and magnetic
coupling)은 시스템 저항과 전력 전달 효율을 측정하기 위해서 매우 중요하며, 플라즈마가 발생될 때 변경될 수 있는 극판에 대한 전력 손실 또한
필수적으로 고려되어야 한다.
본 논문에서는 이러한 점에 주목하여 RF 바이어스용 극판이 있는 상부 유도 결합 플라즈마에서 챔버 길이의 변화에 따른 전기적 특성과 전기장 및 자기장의
분포를 조사하였다. 챔버의 길이가 변경됨에 따라 시스템 저항이 고정되지 않고 변화함을 실험적으로 측정하였고, 이 결과를 시뮬레이션 결과와 비교하여
상부 ICP 방전의 전기적 특성에 대하여 설명하였다. 플라즈마가 방전되지 않은 조건에서 시스템의 저항을 측정하는 방식에서 실제 플라즈마가 방전되었을
경우 발생하는 안테나와 극판사이의 정전기 결합에 의한 손실(정전기장 손실, electrostatic field loss)과 자기 결합 손실(와전류
손실, eddy current loss)과 함께 논의된다.
2. 실험 구성
그림 1은 실험과 시뮬레이션에서 사용된 ICP 장치이다. 챔버는 원통형이며, 내부 반지름(r)은 13 cm이고, 길이(l)는 이동 가능한 하부 극판을 조절하면
4 cm에서 11cm까지 변경가능하다. 챔버의 옆벽은 stainless steel이며, 챔버 상부와 안테나 사이에는 세라믹 판이 설치되어있다. 안테나는
수냉식 동관(water-cooled copper tube)으로 제작되었으며, 상부 가운데에서 RF 전력(PRF)이 인가되고 병렬로 2턴(2-turn)
안테나 형태이며 두 양끝이 접지와 연결된다. 챔버의 하부에는 전력을 인가할 수 있는 극판이 놓여있고 그 극판의 겉면은 스퍼터링(sputtering)을
억제하기 위한 세라믹 판이 덮개형식으로 씌워져 있다. 그리고 극판과 챔버 옆벽 사이에는 고진공을 만들기위한 공간이 있으며, 그 공간은 금속 메시(stainless
steel mesh)가 설치된다. 실험과 시뮬레이션에서 구동 주파수(f)는 13.56 MHz이고 아르곤 가스가 사용된다.
그림. 1. ICP 챔버 개략도
Fig. 1. A schematic diagram of ICP chamber
2.1 실험 구성
13.56 MHz의 전력원이 임피던스 매칭 네트워크 (matching network)와 연결되고 그림 1에서 보이는 Power input으로 연결된다. 챔버 길이는 최소 4 cm까지 줄일 수 있으나, 뷰포트(view port)에 랑뮤어 프로브(Langmuir
probe)와 같은 탐침을 설치하게 되면, 그 위치가 챔버 상부로부터 5-6 cm 부근이 되며 챔버 길이가 조절되는 범위는 11cm에서 6.5 cm까지가
된다.
매칭 네트워크 및 안테나를 포함하는 시스템 저항(Rsys)를 측정하기 위해서, 매칭 네트워크와 안테나 사이에 전류 프로브(model 110 of Pearson
Electronics, Inc.)가 설치된다. 이 전류 프로브는 1 MHz에서 20 MHz까지의 동작 범위를 갖고 있으며, 오실로스코프가 50옴으로
설정될 때, 0.05 VA-1의 감도를 가지고 있다.
그림 1의 방전 시스템에서 직렬회로 흐르는 전류는 동일하다고 가정하며, 플라즈마가 없을 때의 Rsys와 PRF의 관계식은 다음과 같다(19).
여기서 IRF는 안테나에 흐르는 전류이다.
3. 전자기장 시뮬레이션
전기장과 자기장의 분포를 확인하기 위해, Computer Simulation Technology (CST) Studio Suite 2021 (25)을 사용하였고, 실험과 크기 및 재질이 같게 구성하여 시뮬레이션을 진행하였다. 특히, 플라즈마가 포함된 시뮬레이션을 위해서, 플라즈마의 재료 특성(material
properties of plasma)은 Drude dispersion 모델로 설정하였다. Drude dispersion 모델은 플라즈마에서 상대적으로
움직이지 않는 중성종 또는 이온과 전자의 산란 측면(the scattering of the charge carriers)에서 플라즈마의 특성을 설명하는
모델이다. Drude dispersion 모델에서 유전 상수 (the dielectric constant of the Drude dispersion
model, ε)은 다음과 같이 표현된다.
여기서 ε0은 진공 유전율, ε∞은 무한 주파수에서 상대 유전 상수(the relative dielectric constant at infinite
frequency)이고 (여기서, ε∞ = 1), ω는 구동 각(angular) 주파수이고 (ω = 2πf), νm은 전자-중성종 충돌 주파수이고
ωP는 플라즈마 각 주파수이다.
ωP은 다음과 같이 주어진다.
여기서 fP는 플라즈마 주파수, e는 전하량, nP는 플라즈마 밀도, m은 전자질량이다.
4. 결과 및 논의
그림 2는 챔버 길이에 따른 시스템 저항의 측정 결과를 보여준다. 챔버 길이가 11 cm, 9.5 cm, 8 cm, 6.5 cm로 줄어듦에 따라 시스템 저항은
0.138 Ω, 0.141 Ω, 0.143 Ω, 0.145 Ω으로 증가함을 보였다. 이 실험결과는 챔버 길이가 변경됨에 따라 측정되는 시스템 저항이
달라질 수 있다는 매우 흥미로운 결과를 나타낸다. 정확한 시스템 저항의 측정이 중요한 이유는 플라즈마에 흡수되는 전력(Pabs)은
으로 Rsys의 변화에 따라 플라즈마에 흡수되는 전력이 차이가 생길 수 있기 때문이다. 따라서 정확한 시스템저항의 측정 및 설정은 매우 중요하다.
실제 플라즈마가 방전된 상태에서 시스템 저항은 그림 2에서 측정된 시스템 저항과 달라질 수 있다. 왜냐하면 플라즈마가 없을 때 식 (1)로부터 얻어진 시스템 손실 전력은 하부 극판에서 정전기 및 자기 결합으로 인한 손실이 포함되어 있기 때문이다. 일반적으로 금속판에 가까울수록 정전기장으로
인한 전력 손실(정전기장 손실, electrostatic field loss)과 시변 자기장에 의한 전도성 표면에 유도되는 와전류 손실(eddy current
loss)은 모두 더 커진다. 또한, 플라즈마가 생성될 때, 정전기장의 차폐조건과 패러데이 전자기 유도 법칙(Faraday’s law of induction)에
의한 유도필드의 침투(또는 표피) 길이(skin depth)가 고려되어야 한다. 플라즈마가 생성되었을 때 극판에 생기는 정전기장 손실과 와류 손실을
실제로 측정하기는 매우 힘들다. 따라서 우리는 그림 3과 4에서 시뮬레이션을 통한 전자기장 분포를 나타내었다.
그림. 2. 챔버 길이(l)에 따른 시스템 저항(Rsys) 측정 (a) 6.5 cm, (b) 8 cm, (c) 9.5 cm, (d) 11 cm
Fig. 2. System resistance (Rsys) measurement at the chamber length (l) of (a) 6.5
cm, (b) 8 cm, (c) 9.5 cm, and (d) 11 cm
4.1 전기장 분포 (Electric field distribution)
플라즈마가 없을 때와 플라즈마가 있을 때의 정전기장 손실과 와전류 손실을 야기하는 전기장과 자기장의 분포를 분석하기 위하여, 다음과 같은 시뮬레이션을
진행하였다. 첫 번째는 진공(vacuum)으로 챔버 내부를 구성하였을 때, 두 번째는 플라즈마가 있을 때(2.2절 참고)이다. 플라즈마가 있을 때는
밀도가 1×109 cm−3, 1×1010 cm−3, 그리고 1×109 cm−3인 3가지 경우를 시뮬레이션 하였다.
그림 3(a)는 플라즈마가 없을 때 챔버 길이에 따른 전기장 분포를 보여준다. l이 4 cm 일 때 극판에서의 전기장이 가장 강하고 l이 길어질수록 극판의 전기장이
약해지는 것을 확인 할 수 있다. 이는 그림 2에서 챔버의 길이가 길어질수록 측정된 시스템 저항이 감소하는 것과 잘 일치하는 결과이다.
하지만, 플라즈마가 생성되었을 때(그림 3(b) 참고)는 플라즈마에 의해 전기장이 차폐되어 극판에 전기장은 거의 없는 것을 알 수 있다. 플라즈마가 생성되면 플라즈마 주파수보다 높은 전기장의 섭동은
전자의 움직임으로 차폐할 수 없지만, 플라즈마 주파수보다 낮은 전기장의 섭동은 플라즈마를 통과하지 못하고 쉬스 정도의 길이에서 차폐된다.
식 (3)을 참고 하면, 플라즈마 밀도가 1×1010 cm−3일 때 플라즈마 주파수는 약 900 MHz가 되고, 이는 구동 주파수인 13.56 MHz에
비해 약 66배 크다. 일반적으로 ICP를 사용하는 플라즈마 공정 및 연구실 수준에서 플라즈마 밀도 범위는 1×108 cm−3에서 1×1012
cm−3이다. nP가 최소 1×108 cm−3만 되어도 fP는 약 90 MHz가 되고 13.56 MHz에 비해 약 7배 크다. 따라서
플라즈마 벌크(bulk)를 통과해서 극판에 정전기장 손실은 없다고 볼 수 있다. 추가로, 플라즈마의 정의에 의해서 준중성(quasi-neutral)이
유지되어야하기 때문에 쉬스 길이 정도 수준으로 챔버를 작게 만들 수 없다(1). 그러므로 상부 ICP 안테나 형태에서 시스템 저항을 측정할 때에는 정전기손실이 최소가 되도록 챔버 길이를 길게 하여야 한다.
그림. 3. (a) 플라즈마 없을 때와 (b) 플라즈마 있을 때, 챔버 길이(l)에 따른 전기장 분포.
Fig. 3. Electric field distribution (a) without plasma and (b) with plasma.
그림. 4. (a) l = 4 cm와 (b) l = 6 cm일 때, 플라즈마 밀도에 따른 자기장 분포.
Fig. 4. H-field distribution with various plasma densities at (a) l = 4 cm and (b)
l = 6 cm.
4.2 자기장 분포 (Magnetic field distribution)
그림 4는 챔버 길이가 4 cm와 6 cm일 때 플라즈마 밀도에 따른 자기장 분포를 보여준다. 플라즈마 밀도가 0일 때를 vacuum으로 여길 수 있다.
그림 4(a)에서의 극판에 자기장 세기(intensity)는 그림 4(b)에서의 극판에 자기장 강도보다 강한 것을 알 수 있다. 이는 그림 4(a)의 극판과 안테나와의 거리가 가깝기 때문에 나타나는 현상이다. 여기서 주목할 점은 다른 조건과 다르게 np=1×1011 cm−3에서 자기장의
세기가 확연히 약하다는 것이다. 이는 표피 길이의 변화로 설명할 수 있다. 플라즈마 표피 길이(δP)는
로 주어진다(18). 여기서 c는 빛의 속도이고, νeff는 유효 충돌 주파수이며 νm과 비충돌 주파수(stochastic collision frequency, νstoc)의
합,
으로 나타낼 수 있다.
그림. 5. (a) l = 8 cm와 (b) l = 11 cm일 때, 플라즈마 밀도에 따른 자기장 분포.
Fig. 5. H-field distribution with various plasma densities at (a) l = 8 cm and (b)
l = 11 cm.
식 (5)를 사용하여 각 밀도별로 표피 길이를 계산하면, np=1×109 cm−3일 때 δP는 약 21 cm, np=1×1010 cm−3일
때 δP는 약 6.8 cm, np=1×1011 cm−3일 때 δP는 약 2.3 cm가 된다. 따라서 표피 길이가 챔버의 길이보다 짧은 경우
즉, np=1×1011 cm−3일 때는 극판에 와류 손실이 거의 없을 것으로 예상할 수 있다. 하지만 그림 4(a)의 np=1×1011 cm−3일 때, 챔버 길이가 4 cm로 2.3 cm보다 길지만 극판에 자기장의 영향이 조금은 있는 걸로 여겨진다. 이는
표피 길이를 계산 시, 필드가 본래 세기의 약 36%로 감소했을 때를 기준으로하기 때문에, 극판에 매우 작지만 자기장의 영향이 있는 것처럼 보인다.
하지만 l=6 cm일 때는 자기장이 거의 0인 것을 확인할 수 있다. 여기에 데이터를 추가하지 않았지만, 시뮬레이션 결과로 np=1×1011 cm−3일
때 자기장이 거의 0이 되는 챔버 길이는 표피길이의 약 2배인 5 cm 근처이고, TE파(TE wave)의 플라즈마내의 감쇠를 고려하여 계산을 하면(26) 이때의 필드 세기는 본래 세기의 약 1/10(즉, 약 –10 dB)으로 감소하게 된다.
그림 5는 챔버 길이가 8 cm와 11 cm일 때 플라즈마 밀도 진공 및 3 가지 플라즈마 밀도에 따른 자기장 분포를 시뮬레이션한 결과이다. np=1×1011
cm−3일 때는 l이 δP에 비해 크기 때문에 그림 4에서 설명한 것과 같은 경향을 보이고 챔버 길이가 더 증가되어도 극판의 자기장 세기의 영향은 없다. 하지만 그림 5에서 np=1×109 cm−3일 때 δP는 21 cm로 챔버의 길이보다 매우 긴데도 불구하고 극판에 자기장 세기가 거의 0에 가까운 것을
볼 수 있다. 이는 챔버의 구조적인 특성에 따른 표피 길이의 변화로 해석할 수 있다.
실험 구성에서 설명했듯이, 챔버의 옆벽은 스테인레스 스틸로 되어있다. 실제로 많은 챔버에서 무거운 무게를 지탱하기 위해 금속 구조물을 사용하게 되고,
이는 표피 길이의 감소를 야기할 수 있다. 이러한 챔버의 반경 r에 따른 표피 길이 δ는
으로 간략화 할 수 있다(26). 본 실험 조건에서 r은 13 cm이며, δ은 약 3.4 cm로 계산된다. 식 (5)와 식 (7)의 계산을 통해서, δP와 δ 중에 더 짧은 표피 길이를 사용할 수 있고, δP << δ 인 경우에 챔버 자체의 구조에서 손실되는 전력이 매우 클
수 있음을 의미합니다. 또한, 챔버 길이를 표피 길이의 3배로 더 늘리면 원래 필드가 -20 dB로 감쇠(99% 감소)됩니다. 그러나 시뮬레이션 결과에서
δ 의 2.1배일 때도 자기장 세기가 무시할만한 수준이 됨을 보여줍니다.
4.3 플라즈마 분포 (Plasma distribution)
챔버 길이 변화에 따른 플라즈마의 분포 시뮬레이션을 하기 위해 COMSOL Multiphysics의 플라즈마 모듈이 사용되었다 (27). 그림 6은 고정된 13.56 MHz 전력에서 l이 11 cm에서 4 cm로 감소함에 따른 전자 밀도(ne) 및 전자 온도(Te) 분포의 시뮬레이션 결과를
보여줍니다. 전자 온도 분포는 l의 변화에도 불구하고 크게 변하지 않는다 (28). 한편, 전자 밀도의 분포는 l = 11 cm일 때 센터가 높은 분포이고, l = 8 cm일 때 반경방향으로 길게 형성되어 상대적으로 균일하게 된다.
그러나 l = 6 cm에서 전자 밀도의 최대지점은 약 8 cm이며 불균일해진다. l = 4 cm일 때 전자 밀도의 최대 지점은 두 안테나 코일 사이의
위치인 10 cm 부근으로 이동한다. 이러한 결과는 챔버 길이에 대한 전자 동역학의 영향과 함께 논의되어야 한다. 전자 에너지 소모 길이 (λε)는
다음과 같이 주어지고 (1),
그림. 6. l = 4 – 11 cm 일 때, (a) 전자 밀도 분포와 (b) 전자온도 분포.
Fig. 6. Simulation results of ne and Te distribution with changing chamber length
at a fixed RF power.
여기서 M은 이온 질량, λen은 전자-중성종 평균 자유행로, νee는 전자-전자 충돌 주파수이다. 만약 λε가 챔버 길이보다 매우 짧으면 안테나
근처에서 가열된 전자들은 그 근처에서 에너지를 대부분 소모하게 되고, 이때 전자들은 국부적 동역학을 따른다. 하지만 λε가 챔버 길이보다 길면 전자장에
의해 가열된 전자들은 에너지를 전부 소모하기 전에 챔버 전역을 이동할 수 있고, 이때 비국부적 동역학을 따르게 된다. 따라서 비국부적 동역학에서 최대
전자 가열 지역(안테나근처)과 최대 이온화 지역은 다른 곳일 수 있다. 이는 그림 6의 11 cm인 경우에 전자온도의 최대지점이 전기장이 가장 강한 안테나 근처에서 최대이지만 밀도의 최대지점은 챔버의 중앙인 것과 잘 일치한다. 아르곤
25 mTorr 압력에서 λε는 약 17 cm (ne = 1 × 1011 cm−3, Te = 3 V일 때)가 되고 챔버 길이보다 길다.
식 (8)로부터 λε는 ne가 작아지고 Te가 높을수록 증가함을 알 수 있다. 따라서 11 cm보다 작은 모든 l은 비국부적 조건을 충족한다. 그러나 l =
6 cm 및 l = 4 cm일 때 ne 분포는 눈에 띄게 국부적입니다. 이 차이는 챔버 길이를 설정하는데 매우 중요합니다. 국부적 분포로 변화하는
챔버 길이는 위(4.2)에 언급한 것과 같이 표피 길이의 2.1배 길이와 잘 일치함을 보인다.
5. 결 론
본 연구에서는 하부 적극이 있는 상부 유도 결합 플라즈마에서 챔버길에 따른 전기적 특성과 플라즈마 분포를 조사하였다. 이러한 소스 구성에 대한 연구는
플라즈마 공정과 기본적인 실험실 연구 모두에서 고밀도 플라즈마와 이온 에너지 사이의 독립적인 제어에 널리 사용되기 때문에 매우 중요하다.
실험에서 챔버 길이가 감소함에 따라 시스템 저항이 증가한다. 그러나 플라즈마가 방전되면 시뮬레이션 결과와 같이 시스템 변화에 따른 정전기장 및 와전류
손실로 인해 실제 시스템 저항이 다를 수 있습니다. 시뮬레이션 결과에서 일반적인 플라즈마 밀도 영역에서는 하부 플레이트의 정전기장 손실이 없으므로
시스템 저항 측정 시 정전기장 손실의 영향이 없어야 한다. 따라서 시스템 저항을 측정할 때 하단 전극은 안테나의 정전기장의 영향을 받지 않을 만큼
충분히 멀리 위치해야 한다. 하지만 와전류 손실은 시뮬레이션 결과에서 알 수 있듯이 플라즈마 밀도와 챔버 구조의 영향을 더 크게 받는다. 와전류 손실이
무시 가능한 하부 전극의 위치는 본 연구에서 제시된 두 표피 길이 중에 작은 길이의 2.1배 이상일 때임을 알 수 있다. 또한, 챔버 길이에 대한
전자 동역학의 영향은 플라즈마 시뮬레이션 섹션에서 설명된다. 이러한 결과는 챔버의 반경과 길이를 결정하는데 도움이 될 뿐만 아니라 하단 바이어스 전극이
있는 ICP에서 시스템 전력 손실 및 플라즈마 흡수 전력을 이해하는데 도움이 될 수 있다.
Acknowledgements
This work was supported by the National Research Foundation of Korea (NRF-2019M1A7A1A03087579,
NRF-2021R1I1A1A01050312), the Ministry of Trade, Industry & Energy (20011226, 20007145,
20009415, 20010412, 20012609).
References
M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, 2005, Principles of plasma discharges and materials
processing, John Wiley & Sons

J. Hopwood, 1992, Review of inductively coupled plasmas for plasma processing, Plasma
Sources Science and Technology, Vol. 1

V. A. Godyak, R. B. Piejak, B. M. Alexandrovich, Nov 2002, Electron energy distribution
function measurements and plasma parameters in inductively coupled argon plasma, Plasma
Sources Science & Technology, Vol. 11, pp. 525-543

F. F. Chen, J. P. Chang, 2003, Lecture notes on principles of plasma processing, Springer
Science & Business Media

N. S. J. Braithwaite, T. Matsuura, 2004, Plasma processing of materials the atomic
scale, Contributions to Plasma Physics, Vol. 44, pp. 478-484

J. H. Keller, J. C. Forster, M. S. Barnes, 1993, Novel radio‐frequency induction plasma
processing techniques, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces,
Vol. and films, No. 11, pp. 2487-2491

R. Shul, G. McClellan, S. Casalnuovo, D. Rieger, S. Pearton, C. Constantine, C. Barratt,
R. Karlicek Jr, C. Tran, M. Schurman, 1996, Inductively coupled plasma etching of
GaN, Applied physics letters, Vol. 69, pp. 1119-1121

R. Shul, G. McClellan, R. Briggs, D. Rieger, S. Pearton, C. Abernathy, J. Lee, C.
Constantine, C. Barratt, 1997, High- density plasma etching of compound semiconductors,
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum Surfaces and Films, Vol. 15, pp.
633-637

F. Khan, I. Adesida, 1999, High rate etching of SiC using inductively coupled plasma
reactive ion etching in SF 6-based gas mixtures, Applied physics letters, Vol. 75,
pp. 2268-2270

G. A. Hebner, P. A. Miller, 2000, Electron and negative ion densities in C 2 F 6 and
CHF 3 containing inductively coupled discharges, Journal of Applied Physics, Vol.
87, pp. 7660-7666

N. Plank, M. Blauw, E. Van der Drift, R. Cheung, 2003, The etching of silicon carbide
in inductively coupled SF6/O2 plasma, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol.
36

K. M. Dowling, E. H. Ransom, D. G. Senesky, 2016, Profile evolution of high aspect
ratio silicon carbide trenches by inductive coupled plasma etching, Journal of Microelectromechanical
Systems, Vol. 26, pp. 135-142

S. Mikhailovich, A. Y. Pavlov, K. Tomosh, Y. V. Fedorov, 2018, Low-Energy Defectless
Dry Etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT Barrier Layer, Technical Physics Letters, Vol.
44, pp. 435-437

H. Saidi, W. Aloui, A. Bouazizi, 2018, Bias voltage effect on the dielectric properties
of organic–inorganic blend SiNWs elaborated via metal assisted chemical etching, Journal
of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 29, pp. 18051-18058

T. Denda, Y. Miyoshi, Y. Komukai, T. Goto, Z. L. Petrović, T. Makabe, 2004, Functional
separation in two frequency operation of an inductively coupled plasma, Journal of
applied physics, Vol. 95, pp. 870-876

H. C. Lee, C. W. Chung, 2012, Effect of RF Bias on Electron Energy Distributions and
Plasma Parameters in Inductively Coupled Plasma, Journal of the Korean Vacuum Society,
Vol. 21, pp. -

C.-W. Chung, 2013, PLASMA ELECTRONICS, gyomoon

J.-H. Kim, Y.-H. Hong, C.-W. Chung, 2019, High efficient plasma generation in an inductively
coupled plasma using a passive resonant antenna, Plasma Sources Science and Technology,
Vol. 28, pp. 105018

H.-J. Hwang, Y.-C. Kim, C.-W. Chung, 2013, Method for measurement of transferred power
to plasma in inductive discharges, Thin solid films, Vol. 547, pp. 9-12

K. Suzuki, K. Nakamura, H. Ohkubo, H. Sugai, 1998, Power transfer efficiency and mode
jump in an inductive RF discharge, Plasma Sources Science and Technology, Vol. 7,
No. 13

J. Hopwood, 1994, Planar RF induction plasma coupling efficiency, Plasma Sources Science
and Technology, Vol. 3, No. 460

V. Godyak, R. Piejak, B. Alexandrovich, 1999, Experimental setup and electrical characteristics
of an inductively coupled plasma, Journal of applied physics, Vol. 85, pp. 703-712

V. A. Godyak, 2011, Electrical and plasma parameters of ICP with high coupling efficiency,
Plasma Sources Science and Technology, Vol. 20, No. 025004

T. Nelis, M. Aeberhard, L. Rohr, J. Michler, P. Belenguer, P. Guillot, L. Thérèse,
2007, A simple method for measuring plasma power in rf-GDOES instruments, Analytical
and bioanalytical chemistry, Vol. 389, pp. 763-767

Computer Simulation Technology (CST) Studio Suite, https://www.cst.com

V. Vahedi, M. A. Lieberman, G. DiPeso, T. D. Rognlien, D. Hewett, 1995, Analytic model
of power deposition in inductively coupled plasma sources, Journal of Applied Physics,
Vol. 78

COMSOL Multiphysics® v. 6.0, Plasma Module User's Guide, Stockholm, Sweden: COMSOL
AB, 2022. Available online:https://doc.comsol.com/

J. H. Kim, Y. C. Kim, C. W. Chung, 2015, Experimental investigation on plasma parameter
profiles on a wafer level with reactor gap lengths in an inductively coupled plasma,
Physics of Plasmas, Vol. 22, No. 073502

저자소개
Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.
Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.
Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.