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  1. (Dept. of Electrical Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Korea.)
  2. (Dept. of Electrical Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Korea.)



IH(Induction Heating), SRI(Series Resonant Inverter), Impedance measurement, Temperature estimation

1. 서 론

유도 가열 (Induction Heating; IH) 기술은 다른 가열 방법에 비해 고효율, 고속 가열, 비접촉식 가열 및 청결성으로 인해 산업계와 가정 및 의료계에서 널리 사용되고 있는 기술이다(1). 유도 가열기는 그림 1과 같이 다이오드 정류기, 스위칭 회로, 공진 탱크, 워킹 코일로 구성된다. 유도 가열기에 전원이 인가됨에 따라 워킹 코일에 고주파 전류가 흐르게 된다. 이에 따라 워킹 코일 주변에 발생하는 자계에 의해 발생하는 와전류(Eddy current)의 저항 손실(Ohmic Loss)로 용기가 가열되는 방식이다. 최근 가정에서 사용하고 있는 인덕션 레인지는 사용자에게 편의성 및 안정성을 강화하기 위해 자동 조리 기능과 정온 기능 개발이 활발하게 이루어지고 있다(2). 유도 가열기를 사용함에 있어 일반적으로 사용자는 온도가 얼마나 높은지에 대한 실시간 정보가 없기 때문에 필요치보다 더 많은 전력을 사용하는 경향이 있다. 전력 전자 장치의 효율성은 매우 높지만 이러한 에너지 낭비는 전체 조리 과정의 에너지 효율성을 감소시킨다.

그림. 1. IH 시스템의 블록도와 파형

Fig. 1. Block Diagram and Waveforms of an IH System

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따라서 용기의 실시간 온도 정보는 에너지 효율성 측면에서도 필수적이다. 기존 온도 측정 방식은 NTC 저항을 사용하여 온도에 의해 변화된 NTC 저항값에 의해 간접적으로 측정하였다(3). 그러나 용기의 온도뿐만 아니라 IH 코일 온도의 영향도 받기 때문에 온도 추정 오차율이 높은 문제점이 있다. 그리고 적외선 센서를 사용하여 용기의 온도를 외부 적외선 센서를 사용하여 직접적으로 측정하는 방식도 있다. 그러나 외부 센서를 사용함에 따라 시스템 비용을 증가시키고, 사용자에 의해 외부에 돌출된 센서가 손상될 수 있어 센서 파손에 대한 측정 오차 및 유지관리 비용이 발생할 수 있다. 따라서 본 논문에서는 외부 센서 없이 IH 임피던스 계측을 통해 온도를 추정한다. 온도가 증가하면 금속 안의 자유전자의 이동성이 높아져 전류의 흐름을 방해하게 되어 온도가 증가할수록 저항이 증가하게 된다. 따라서 실시간 임피던스 측정을 통해 온도와 임피던스 간의 관계성을 파악하여 용기의 온도를 추정한다. IH 부하의 실시간 임피던스 측정을 통해 정확하게 적정 출력 전력을 제어할 뿐만 아니라 부하 임피던스와 온도와의 관계를 통해 자동 조리 기능의 구현을 기대할 수 있다.

유도 가열 시스템은 최소 20 kHz 이상의 스위칭 주파수로 동작하여 샘플링된 신호를 원신호 정보로 복원하기 위해서는 고주파 ADC(Analog-to-Digital Converter) 를 필요로 한다. 참고문헌 (5),(6),(7)에서는 10 MHz 이상의 샘플링 주파수로 임피던스를 계측하였으며, 이로 인해 FPGA와 같은 높은 성능의 제어기가 요구되어 유도 가열 시스템의 비용을 증가시키는 문제가 있다.

본 논문에서는 저 성능 제어기에서도 임피던스 계측이 가능한 Time-Split 방식에 기반한 온도 추정기법을 제안한다. 기존 연구에 비해 낮은 샘플링 주파수를 사용하지만 임피던스를 정확하게 계측한다. 결과적으로 기존 방식에 비해 유도 가열 시스템의 비용을 절감할 수 있다. 그림 2와 같이 2-kW 하프 브리지 직렬 공진형 인버터 시작품을 통해 제안하는 Time-Split 기법을 사용하여 실시간 임피던스 계측을 통해 특정 용기에 대한 온도 추정의 타당성을 검증하고자 한다.

2. 실시간 임피던스 계측

2.1 IH 부하

IH 부하는 일반적으로 그림 3과 같이 등가 인덕터와 등가 저항의 직렬연결로 모델링이 된다. 그러나 IH 부하는 용기의 재질, 주파수, 온도, 인덕터와 용기의 상대적 위치에 따라 변화한다. 인버터의 출력 전력 및 효율은 동작점에 따라 좌우된다. 이로 인해 정확한 전력 제어 및 영전압 스위칭(Zero Voltage Switching; ZVS) 동작이 보장되지 않아 IH 시스템의 신뢰성이 저해될 수 있다. 또한, 이를 회피하기 위해 과도하게 고주파 영역에서 동작하면 충분한 전압 이득을 얻을 수 없고, 스위칭 손실도 증가한다. 따라서 IH 시스템의 높은 신뢰도와 효율 및 충분한 전력을 얻기 위해서는 동작점에 따른 실시간 임피던스 계측은 필수적이다.

2.2 임피던스 계측 기본 원리

그림 4와 같이 LCR Meter를 이용하여 오프라인 상태에서 전체 부하 임피던스로부터 부하의 등가 저항과 등가 리액턴스를 계측할 수 있다. 용기와 공진 커패시턴스가 결합된 IH Inverter의 부하 임피던스를 수식으로 나타내면 식(1)과 같다.

그림. 2. IH 인버터 회로도

Fig. 2. Circuit Diagram of an IH Inverter

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그림. 3. IH 공진 네트워크의 등가 회로

Fig. 3. Equivalent Circuit of an IH Resonant Network

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그림. 4. 동작 주파수에 따른 IH 부하의 저항과 인덕턴스

Fig. 4. Resistance and Inductance Curves of an IH Loads According to the Operating Frequency

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(1)
$$ Z_{\text {load }}=R_{\text {load }}+j X_{\text {load }} $$

$R_{l o a d}$ 은 코일과 용기의 합성저항, $X_{l o a d}$ 는 부하의 리액턴스 이다. $R_{l o a d}, X_{\text {load }}$ 은 '옴의 법칙'에 의해 하기의 식(2), (3)과 같이 나타난다.

(2)
$$ \begin{gathered} R_{\text {load }}=\frac{P_{t r}}{I_{r(r m s)}^2} \\ \end{gathered} $$

(3)
$$ \begin{gathered} X_{\text {load }}=\frac{Q_{t r}}{I_{r(r m s)}^2} \end{gathered} $$

$I_r(r m s)$ 는 인버터 부하의 공진 전류의 RMS 전류이고, 은 저 항에 전달되는 유효 전력, $Q_{t r}$ 는 리액턴스에 전달되는 무효전 력이다. 그림 2 는 $\mathrm{IH}$ 인버터의 전압, 전류 측정 지점을 보여준 다. $\mathrm{IH}$ 인버터의 임피던스 디지털 추정은 그림 2 의 전압과 전 류 측정 지점에서 DSP에 의해 샘플링하여 식(4), (5)와 같이 얻을 수 있다.

(4)
$$ \begin{gathered} V_{s w(r m s)}=\sqrt{\frac{1}{n} \sum_{k=1}^n V_{s w}^2[k]} \\ \end{gathered} $$

(5)
$$ \begin{gathered} I_{r(r m s)}=\sqrt{\frac{1}{n} \sum_{k=1}^n I_{s w}^2[k]} \end{gathered} $$

식(6)-(8)은 전력 공식에 따라 $S_{t r}$ 는 피상전력, $P_{t r}$ 는 유효 전력, $Q_{t r}$ 는 무효전력이다.

(6)
$$ \begin{gathered} S_{t r}=V_{r m s} I_{r m s} \\ \end{gathered} $$

(7)
$$ \begin{gathered} P_{t r}=\frac{1}{n} \sum_{k=1}^n V_{s w}[k] I_{s w}[k] \\ \end{gathered} $$

(8)
$$ \begin{gathered} Q_{t r}=\sqrt{S_{t r}^2-P_{t r}^2} \end{gathered} $$

식(4)-(8)을 통해 $I_r(r m s), P_{t r}, Q_{t r}$ 를 계산하고 식(2), (3) 에 대입하여 저항과 리액턴스 값을 계측할 수 있다.

2.4 Time-Split 기법

기존의 디지털 신호 측정 방식은 높은 샘플링 주파수가 요구되어 높은 성능의 제어기와 신호처리기가 필요하다. 본 논문에서는 Time-Split 기법을 통해 낮은 샘플링 주파수로도 비교적 정확히 임피던스를 계측할 수 있다. 그림 5와 같이, Time-Split 기법은 많은 파형으로부터 샘플링 데이터를 얻는 기법이다. 스위칭 주파수와 샘플링 주파수 간의 차이를 사용하여 파형이 샘플링되는 횟수를 결정한다. 샘플링 주파수는 식(9)와 같이 도출한다. 여기서 $k$는 파형 수, $k-1$은 샘플링 수, $f_{sw}$는 IH 인버터의 스위칭 주파수이다.

그림. 5. Time-Split 기법

Fig. 5. Time-Split Method

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그림. 6. 연속적인 공진 전류의 FFT 파형

Fig. 6. FFT Waveform of Continuous Resonant Curren

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그림. 7. 샘플된 공진 전류의 FFT 파형

Fig. 7. FFT Waveform of Sampled Resonant Current

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그림. 8. 공진 전류의 FFT 파형

Fig. 8. Magnitude Plot of the Band-Pass Filter

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(9)
$$ f_{s a m p l e}=\frac{k-1}{k} f_{s w} $$

그림 6은 스위칭 주파수가 50 kHz인 공진 전류의 FFT(Fast Fourier Transform) 파형이고, 그림 7은 Time-Split 기법을 통해 샘플링 된 공진 전류의 FFT 파형이다. 식(10)은 Time-Split 기법을 통해 샘플링된 임의의 홀수인 X차 주파수 성분이다.

(10)
$$ f_{\text {harmonic }(\mathrm{X})}=X\left(f_{\text {sw }} \pm f_{\text {sample }}\right) $$

예를 들어 스위칭 주파수가 50 kHz인 파형을 100개의 파형 중에 99번 샘플링 해야 하는 경우 원 신호의 1/100인 주파수 성분을 가진다. 제안하는 알고리즘은 공진점 근처에서 동작하므로 유효 전력은 대부분 기본파 성분에 의해 전달된다. 따라서 샘플링된 파형에서 기본파 추출을 통해 임피던스를 추정할 수 있다. 그러나, AC 입력의 경우 그림 7과 같이 전파 정류된

120 Hz의 Side Band가 존재한다. 따라서 Side Band를 포함하는 다른 고조파 성분에 의한 왜곡을 방지하기 위해 대역통과필터가 요구된다. 3차 고조파 이상의 주파수 성분은 기본파 성분에 비해 매우 작으나 Side Band 주파수 성분은 약 기본파의 약 3/10의 크기를 가진다. 따라서 기본파만을 추출하기 위해서는 Side Band 성분을 필터링해야 한다.

이를 위해 고조파로 인한 파형의 왜곡의 정도를 나타내는 지표인 전고조파 왜율(Total Harmonic Distortion; THD)을 계산하였다.

(11)
$$ T H D=\frac{\sqrt{K_{1 \pm 120 H z}^2+K_3^2+K_5^2+\cdots+K_n^2}}{K_1} $$

THD는 기본파 크기 대비 타 주파수 성분의 크기이며, 은 n차 고조파의 RMS 값을 의미한다. 그림 7의 FFT 파형을 통해 식(11)에 따라 계산하였다. 기본파 대비 Side Band 주파수의 크기를 고려하였을 때 THD는 42%이다. 예를 들어 THD를 7% 이내로 달성하기 위해서는 식(11)에 따라 기본파 성분이 –26dB 보다 크게 감쇄하는 영역을 대역폭으로 설계해야 한다. 그림 8은 대역폭을 중심 주파수의 2% 이내로 설계한 2차 대역통과필터의 Bode Plot 크기 선도로, 중심 주파수와 Side Band 고조파 성분 크기 성분을 보여준다. Side Band 주파수 성분이 –26dB보다 크게 감쇄하였으므로, 대역통과필터를 통해 THD 7%를 만족할 수 있다. 따라서 기본파와 Side Band 주파수 성분을 포함하여 필터링 된 샘플링 전압 및 전류를 활용하여 왜곡이 적은 임피던스를 계측할 수 있다.

3. 용기 임피던스와 온도의 상관관계 분석

3.1 IH 부하 특성 분석

용기의 재질에 따라 고유의 비저항, 투자율을 가지고 있어 부하 저항이 달라지므로 특정 용기 조건에서 분석을 진행하였다. 참고문헌 (4)와 같이 용기의 가열시간에 따라 용기의 저항은 증가한다. 온도가 증가하면 자유전자의 이동성이 증가하여 전류 흐름을 방해하게 되어 저항을 증가시킨다. 식(12)에 따라 금속의 비저항(resistivity)은 온도에 대해 선형적으로 증가함을 보여준다. 비저항과 저항값은 비례하므로 식(13)과 같이 온도에 따른 저항의 변화를 나타낼 수 있다.

그림. 9. IH 용기의 저항과 온도 곡선

Fig. 9. Resistance and Temperature Curves of an IH Pot

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그림. 10. IH 용기의 온도 측정 지점

Fig. 10. Temperature Measuring Points of IH Pot

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(12)
$$ \begin{gathered} \rho=\rho_0\left[1+\alpha\left(T-T_0\right)\right\rceil \\ \end{gathered} $$

(13)
$$ \begin{gathered} R=R_0\left[1+\alpha\left(T-T_0\right)\right]=\frac{\rho}{\rho_0} R_0 \end{gathered} $$

여기서, $\rho$는 용기의 비저항, $\rho_{0}$는 표준 온도에서의 저항률, $\alpha$는 온도계수, $R$은 임의의 온도에서의 저항, $R_{0}$은 표준 온도에서의 저항이다.

3.1 IH 부하 특성 분석

코일의 동작 주파수 대역별로 IH 부하 저항을 계측하고, 온도와 부하 임피던스의 경향성을 파악하기 위해 선형 회귀 분석 모델을 도출한다. 그림 9는 동작 주파수 50 kHz로 구동하였을 때 시간에 따른 온도와 저항 그래프이다. 그림 10과 같이 3개의 온도 측정 지점의 평균값으로 용기의 온도를 측정하였다. 그림 9와 같이 IH 시스템의 가열 특성으로 인해 온도 용기의 온도가 증가할수록 저항이 특정 구간에서 시간에 따라 선형적으로 증가함을 확인하였다. 이를 선형 회귀하여 식(14)와 같이 기울기 a와 y 절편에 따라 온도와 저항 간의 선형 회귀 모델식을 도출할 수 있다.

(14)
$$T=aR + b$$

회귀 분석을 통해 식(14)의 a와 b를 구하면 특정 용기에서 임의의 저항값으로 온도를 추정할 수 있다.

4. 모의시험 및 실험 결과

본 장에서는 모의시험과 실험을 비교 분석하여 임피던스 계측을 위한 Time-Split 기법과 임피던스 계측을 통한 온도 추정의 실효성을 검증한다. 그림 11과 같이 Time-Spilt을 검증하기 위해 PSIM 시뮬레이션으로 회로도를 구성하고 그림 12과 같이 2-kW 직렬 공진 인버터 시작품을 구성하여 실험하였다. 용기의 지름은 220mm, 물의 양 2L로, IEC standard 60335-2-9 규격의 수부하량으로 실험을 진행하였다. 표 1은 직렬 공진 인버터의 설계 사양을 나타낸다.

그림. 11. IH 인버터의 시뮬레이션 회로

Fig. 11. Simulated Circuit Diagram of an IH Inverter

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그림. 12. 2-kW급 IH 인버터 시작품

Fig. 12. 2-kW IH Inverter Prototype

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표 1. 직렬 공진형 인버터의 설계 사양

Table 1. Design Specification of the Series Resonant Inverter

Parameter

Mark

Value

Unit

Input Voltage

$V_{i n,\: AC}$

220

$V$

Resonant Capacitor

$C_{r}$

660

$\mu F$

Resonant Inductor

$L_{r}$

18

$\mu H$

Coil Turn Number

$n$

16

turn

Sampling Frequency

$f_{sample}$

49.5

$k Hz$

Switching Frequency

$f_{sw}$

50

$k Hz$

Pot Material

SUS304 18-10

표 2. 전력 별 추정 회귀 방정식

Table 2. Estimated Regression Equations According to Power

1 kW

2 kW

The number of experiments

3

3

Slope (a)

85.2191

206.38

Y-Intercept (b)

-266.8924

-683.1

그림. 13. Time-Split 시뮬레이션

Fig. 13. Time-Split Simulation

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그림. 14. 저항 계측 시뮬레이션

Fig. 14. Resistance Measurement Simulation

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4.1 임피던스 계측 모의시험

LCR Meter를 사용하여 측정한 부하 임피던스 파라미터를 사용하여 IH Inverter를 모의시험하였다. PSIM 시뮬레이션에서 온도의 영향성을 고려할 수 없으므로 고정 저항을 사용하여 시뮬레이션을 진행하였다. 그림 13과 같이 식(10)에서 도출한 샘플링 주파수로 Time-Split 기법의 정상 작동을 확인하였다. 그림 14에서 Time-Split 기법을 사용하여 계측된 저항이 고정 저항에 대해 오차율 1% 이내로 계측됨을 확인하였다.

그림. 15. 전력 분석기로 계측한 저항과 Time-Split 기법을 적용한 DSP 계측 저항 데이터 비교

Fig. 15. Comparison between Power Analyzer Data and DSP Measurement data Using Time-split: (a) 1 kW, (b) 2 kW

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4.2 임피던스 계측 실험 결과

그림 15는 전력 분석기에 의해 측정된 값과 제어기에 의해 계측된 저항값을 보여준다. 용기 안의 물이 끓는 구간, 즉 정상 상태 구간에서 임피던스 추정 파형이다. 하프 브리지 직렬 공진형 인버터는 동작주파수의 변동을 통해 전력을 제어한다. 따라서 동작 주파수에 따라 임피던스가 변동하므로 끓는 구간에서 전력 용량 별 임피던스는 다르게 나타난다. 결과적으로 저항은 오차율 1.2% 이내로 계측된다.

그림. 16. 저항-온도 회귀 곡선

Fig. 16. Resistance-Temperature Regression Curves: (a) 1 kW, (b) 2 kW

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그림. 17. 용기 온도 추정 파형

Fig. 17. Experimental Curves of Pot Temperature Estimation: (a) 1 kW, (b) 2 kW

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4.3 임피던스 계측을 통한 온도 추정 분석

IH 시스템은 용기의 위치, 코일의 초기 온도에 따라 차이가 있으므로 그림 16과 같이 3회 실험을 통해 회귀 분석 모델식을 도출한다. 회귀 분석을 통해 도출한 식을 표 2에 나타내었다. 표 2를 통해 높은 전력일수록 기울기가 크므로 빠르게 가열됨을 확인할 수 있다. 그림 17은 시간에 따른 용기의 실제 온도와 추정 온도를 비교한 그래프이다. 그림 17과 같이 온도 증가 구간 최대 $\pm 7^{\circ} \mathrm{C}$, 온도 유지 구간 최대 $\pm 5^{\circ} \mathrm{C}$ 의 낮은 오차로 온도 추정이 가능하다. 따라서 정확한 임피던스 추정으로부터 온도 추정의 실효성을 검증하였다.

5. 결 론

본 논문에서는 저항-온도 회귀 분석을 통해 온도 추정이 가능한 알고리즘을 제안하였다. 또한, 낮은 샘플링 주파수로도 IH 부하의 임피던스를 계측할 수 있는 Time-Split 기법을 제안하였다. 최종적으로 2-kW 직렬 공진 인버터 시작품을 통해 실험이 수행되었다. 실제 측정된 값 대비 저항이 오차율 1.2% 이내로 계측됨에 따라 Time-split 기법의 타당성이 검증되었다. 임피던스 계측을 통하여 특정 용기에서 온도와 저항 간의 회귀 분석 모델식을 도출하여 온도 상승 구간에서의 용기 온도는 $\pm 7^{\circ} \mathrm{C}$ 이내의 오차, 물이 끓는 구간에서의 용기 온도는 $\pm 5^{\circ} \mathrm{C}$ 이내의 오차로 정확하게 온도를 추정할 수 있다.

Acknowledgements

이 논문은 2022 년도 정부(산업통상자원부)의 재원으로 한국에너지기술평가원의 지원을 받아 수행된 연구임(2019381010001A, 수용가용 LVDC 전원공급 및 분산전원 연계용 핵심기기 개발)

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저자소개

김현지(Hyun-Ji Kim)
../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.9.1230/au1.png

She received her B.S. degree in electronic engineering from Hanbat National University, Daejeon, South Korea, in 2020.

She is currently working toward a MS. degree in electrical engineering from the Ulsan National Institute of Science and Technology, Ulsan, South Korea.

허경욱(Kyung-Wook Heo)
../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.9.1230/au2.png

He received his B.S. degree in electronic engineering from the Kumoh National Institute of Technology, Gumi, South Korea, in 2019.

He is currently working toward a Ph.D. degree in electrical engineering from the Ulsan National Institute of Science and Technology, Ulsan, South Korea.

정지훈(Jee-Hoon Jung)
../../Resources/kiee/KIEE.2022.71.9.1230/au3.png

He received his B.S., M.S., and Ph.D. degrees in Electrical and Computer Engineering Program from the Department of Electronics and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea, in 2000, 2002 and 2006, respectively.

From 2006 to 2009, he was a Senior Research Engineer in the Digital Printing Division, Samsung Electronics Company Ltd., Suwon, South Korea.

From 2009 to 2010, he was a Postdoctoral Research Associate in the Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University at Qatar (TAMUQ), Doha, Qatar.

From 2011 to 2012, he was a Senior Researcher in the Power Conversion and Control Research Center, HVDC Research Division, Korea Electrotechnology Research Institute (KERI), Changwon, South Korea.

From 2013 to 2017, he was an Assistant Professor in the School of Electrical and Computer Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan, South Korea.

From 2017 to 2022, he was an Associate Professor in the Department of Electrical Engineering, UNIST where he is presently working as a Professor.