์กฐ์๋น
(Yebean Cho)
1,2iD
(Sanh Vo Thi)
1
(MD Arifur Rahman Barno)
1
(Sourov Hossain)
1
(Malkeshkumar Patel)
1
๊น์ค๋
(Joondong Kim)
โ iD
-
(Dept. of Electrical Engineering, Incheon National University, Republic of Korea.)
-
(Dept. of Material Science and Engineering, Incheon National University, Republic of
Korea.)
Copyright ยฉ The Korean Institute of Electrical Engineers
Key words
Transparent Photovoltaic, Pyroelectric effect, Photovoltaic effect, ZnO/NiO, Photodetector
1. ์ ๋ก
์ ์ธ๊ณ์ ์ผ๋ก ์ธ๊ตฌ๊ฐ ์ฆ๊ฐํ๊ณ ๊ธฐ์ ์ด ๋น ๋ฅด๊ฒ ๋ฐ์ ํจ์ ๋ฐ๋ผ 1์ธ๋น ์๋์ง ์๋น๋์ด ๊พธ์คํ ๋์ด๋๊ณ ์๋ค. ์ด๋ฌํ ์ํฉ์์ ๊ธฐํ ์๊ธฐ์ ์ฌํ๋
์ง์ ๊ฐ๋ฅํ ์๋์ง์ ๋ํ ์์๋ฅผ ๊ธ๊ฒฉํ ์ฆ๊ฐ์ํค๊ณ ์๋ค. ํ์ฌ ๊ฐ๋ฐ ์ค์ธ ์ง์ ๊ฐ๋ฅ ์๋์ง ์ค ๊ฐ์ฅ ์ ๋งํ ์๋์ง๋ก๋ ํ์๊ด ์๋์ง๊ฐ ๊ผฝํ์ง๋ง,[1][2] ๊ธฐ์กด์ ํ์์ ์ง๋ ๋์ ์ค์น ๋ฉด์ ์ด ํ์ํ๊ณ ๋ฏธ๊ด์ ์ ํดํ๋ค๋ ํ๊ณ๊ฐ ์กด์ฌํ๋ค. ์ค์ ๋ก ํ์ฌ ์ค์น๋ ํ์๊ด ๋ฐ์ ์ค๋น๋ ์ ์ธ๊ณ ์๋์ง ์์์ ์ฝ
1%๋ฐ์ ์ถฉ์กฑ์ํค์ง ๋ชปํ๋ค.[3] ์ด๋ฌํ ํ๊ณ๋ฅผ ๊ทน๋ณตํ๊ธฐ ์ํด ํฌ๋ช
ํ์์ ์ง(Transparent Photovoltaic, TPV)์ ํ์์ฑ์ด ๋๋๋์๋ค. ์ด๋ ๊ฑด๋ฌผ์ด๋ ์ฐจ๋์ ์ ๋ฆฌ๋ก
์ด์ฉํจ์ผ๋ก์จ ๋ฏธ๊ด์ ํด์น์ง ์๊ณ ์ผ์์ํ์์ ์์ฐ์ค๋ฝ๊ฒ ์๋์ง๋ฅผ ์์ฐํ ์ ์๋ค. ๋์๊ฐ ๋๋๋ฐฉ ์๋์ง ์ ๊ฐ ํจ๊ณผ๊น์ง ๊ธฐ๋ํ ์ ์์ด ์ฐจ์ธ๋ ์นํ๊ฒฝ
์๋์ง ๊ธฐ์ ๋ก์ ์ฃผ๋ชฉ๋ฐ๊ณ ์๋ค.
๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์๋ ๋์ ์๋์ง ๋ฐด๋๊ฐญ์ ๊ฐ์ง ๋ฌผ์ง์ ์ฌ์ฉํ์ฌ ์ด์ข
์ ํฉ(heterojunction) ํํ์ ์์๋ฅผ ์ ์ํ์๋ค. ZnO๋ 3.4 eV์
๋์ ์๋์ง ๋ฐด๋๊ฐญ, ์ค์จ์์์ ๋์ ์์ํค ๊ฒฐํฉ ์๋์ง(60 meV), ์ฐ์ํ ํํ์ ์์ ์ฑ์ ๊ฐ์ง๋ค.[4][5] ์ด๋ฌํ ํน์ฑ์ผ๋ก ์ธํด ZnO๋ ๊ฐ์๊ด์ ๋ฐ ์ ์ธ์ ์์ญ์์ ์ฐ์ํ ๊ด๋์ญ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ก์ ์๋ํ ์ ์๋ค.[6] ๋ํ ๊ทธ๋ฆผ 1(a)๊ณผ ๊ฐ์ ZnO ๊ณ ์ ์ wurtzite ๊ฒฐ์ ๊ตฌ์กฐ์ ์ํด ๋ํ์ ์ธ ์ด์ (Pyroelectric) ๋ฌผ์ง ์ค ํ๋๋ก ๊ตฌ๋ถ๋๋๋ฐ, ์ด ๋น๋์นญ์ ์ธ ๊ฒฐ์ ๊ตฌ์กฐ๋
์ด์จ์ด ๋ถ๊ท์น์ ์ผ๋ก ๋ฐฐ์ด๋์ด ํ์ฑ๋ ์ ๊ธฐ ์๊ทน์๋ก ์ธํด ๋ฌผ์ง ๋ด๋ถ์ ์๋ฐ์ ์ธ ๋ถ๊ทน์ด ํ์ฑ๋๊ฒ ํ๋ค.[7] ๋ฐ๋ผ์ ZnO์ ํ์ชฝ ํ๋ฉด์๋ ์์ ํ, ๋ฐ๋์ชฝ ํ๋ฉด์๋ ์์ ํ๊ฐ ์ถ์ ๋๋ค. ์ด๋ ์ ์์ฐจ๋ฅผ ํด์ํ๊ณ ์ ๊ธฐ์ ํํ์ ์ด๋ฃจ๊ธฐ ์ํด ์ธ๋ถ๋ก๋ถํฐ ์๋ก ๋ฐ๋๋๋
๊ทน์ฑ์ ์ ํ๊ฐ ํ๋ฉด์ผ๋ก ์ ๋๋๋ค. ์ด๋ฌํ ๋ณด์ ์ ํ๊ฐ ์ถ์ ๋ ์ํ์์ ์ด์ ํน์ฑ์ ๊ฐ๋ ZnO์ ๋น์ ์กฐ์ฌํ๋ฉด, ๋ด๋ถ์ ์จ๋๊ฐ ๋ณํํ์ฌ ZnO ๋ด๋ถ์
์ด์จ์ ๊ฒฉ์ ์ง๋์ผ๋ก ๋ถ๊ทน์ด ์ฝํด์ง๋ค. ๊ฒฐ๊ณผ์ ์ผ๋ก ์์๊ฐ ์ค์ด๋ ๋ณด์ ์ ํ๋ ์ธ๋ถ ๋์ ์ ํตํด ์ด๋ํ๋ฉฐ ์ ๋ฅ๊ฐ ํ๋ฅด๊ฒ ๋๋ค.[8] ๋ฐ๋๋ก ๋ฌผ์ง ๋ด๋ถ์ ์จ๋๊ฐ ํ๊ฐํ๋ฉด ๋ถ๊ทน์ด ๋์ฑ ๊ฐํ๋์ด ๋ ๋ง์ ๋ณด์ ์ ํ๊ฐ ํ์ํ๊ฒ ๋๊ณ , ์ธ๋ถ ๋์ ์ ํตํด ์ ํ๊ฐ ํ๋ฉด์ผ๋ก ์ด๋ํ๋ฉฐ ์ ๋ฅ๊ฐ
๋ฐ๋ ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก ํ๋ฅธ๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 1. (a) ZnO์ wurtzite ๊ตฌ์กฐ (b) ZnO/NiO ์ด์ข
์ ํฉ ์์์ ์๋์ง ๋ฐด๋ ๋ค์ด์ด๊ทธ๋จ
Fig. 1. (a) Schematic illustration of the wurtzite ZnO structure. (b) Energy band
diagram of ZnO/NiO heterojunction device
์ ์๋ ํฌ๋ช
ํ์์ ์ง๋ n-type ZnO์ p-type NiO์ ์ด์ข
์ ํฉ ๊ตฌ์กฐ๋ก ํ์ฑํ์๋ค. NiO๋ 3.6 eV์์ 4.0 eV์ ์ด๋ฅด๋
๋์ ์๋์ง ๋ฐด๋๊ฐญ์ ๊ฐ๋ ๋ฌผ์ง๋ก ๊ฐ์๊ด์ ์์ญ์์ ๋์ ํฌ๊ณผ์จ์ ๊ฐ์ง๋ฏ๋ก ZnO/NiO ์์๋ ํฌ๋ช
ํ ์์๋ก ๊ตฌํ๋๋ค. ๋๋ถ์ด NiO๋ ๋ฐ์ด๋ ๊ดํ์ ,
์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ๊ณผ ์ฐ์ํ ํํ์ ์์ ์ฑ ๋๋ถ์ ํ์์ ์ง, ์์ธ์ ๊ด ๊ฒ์ถ๊ธฐ ๋ฑ์ ์ ๋งํ ์ฌ๋ฃ๋ก์จ ์ฃผ๋ชฉ๋ฐ๊ณ ์๋ค.[9] ๋ฐ๋ผ์ ZnO/NiO ์ด์ข
์ ํฉ ๊ตฌ์กฐ์ ์์๋ ํฌ๋ช
ํ์์ ์ง๋ก ํ์ฉ๋ ์ ์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 1(b)๋ ZnO/NiO ์ด์ข
์ ํฉ ์์์ ์๋์ง ๋ฐด๋ ๋ค์ด์ด๊ทธ๋จ์ ๋ํ๋ธ๋ค. ๋ ์ธต์ด ์ ํฉํ๋ฉด ๋ค์ ์บ๋ฆฌ์ด(majority carriers)์ ์ด๋์ผ๋ก ์ ๊ณ(electric
field)๊ฐ ํ์ฑ๋๋ค. ์ฆ n-type ZnO์ ์ ์๋ NiO ์ชฝ์ผ๋ก, p-type NiO์ ์ ๊ณต์ ZnO ์ชฝ์ผ๋ก ์ด๋ํ๊ฒ ๋๋ค. ์ด๋ฌํ ์บ๋ฆฌ์ด
์ด๋์ ์ํด์ ๊ณตํ์ธต(space charge region, SCR)์ ๊ฑธ์ณ ์ ๊ณ๊ฐ ํ์ฑ๋๋ค.[10] ๊ณตํ์ธต์ ์กด์ฌํ๋ ์ ๊ณ๋ ์
์ฌํ๋ ๋น์ผ๋ก ์ ์
๋๋ ๊ด์(photon)๋ฅผ ๋ถ๋ฆฌํ๋ ๊ธฐ์ ๋ ฅ์ ์ ๊ณตํ์ฌ, ๊ฒฐ๊ณผ์ ์ผ๋ก ๊ด์์ฑ ์ ์(photo-generated
electrons)๋ NiO์์ ZnO๋ก ์ด๋ํ๊ณ , ์ ์๊ฐ ์ถ์ ๋๋ฉด ZnO ์ชฝ์์ ๊ด์ (photovoltaic) ํจ๊ณผ๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ค. ์ด์ ๊ฐ์ด ZnO์
NiO์ p-n ์ ํฉ์ผ๋ก ํ์ฑ๋ built-in potential์ ์ํด ์์ํค์ด ๋ถ๋ฆฌ๋จ์ผ๋ก์จ photovoltaic effect๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ค.[11]
2. ์คํ ๋ฐฉ๋ฒ
Bottom electrode๋ก ์ฌ์ฉํ FTO glass(RNDKOREA, 7 ฮฉ/sq)๋ ์ด์ํ ์ธ์ ๊ธฐ๋ฅผ ์ด์ฉํ์ฌ ์์ธํค, ๋ฉํ์ฌ, ์ด์์
์ฆ๋ฅ์(De-ionized water, DIW) ์์ผ๋ก ๊ฐ 7๋ถ์ฉ ์ธ์ ํ ํ ์ง์ ๊ฐ์ค๋ก ๊ฑด์กฐ์์ผฐ๋ค. ์ฆ์ฐฉ์ Magnetron Sputtering
System (Solarlight Ltd, Korea)์ ์ด์ฉํ์๋ค. ํ๊ฒ๊ณผ ๊ธฐํ ์ฌ์ด์ ๊ฑฐ๋ฆฌ๋ ์ฝ 19.6 cm, ๊ธฐํ์ ๋ํ ํ๊ฒ ๊ฐ๋๋ ์ฝ 52.25ยฐ์ด๋ค.
ZnO๋ ZnO ํ๊ฒ(purity: 99.99%, Dasom)์ ์ด์ฉํ์ฌ Ar 50 sccm, ๊ณต์ ์๋ ฅ 5 mTorr, RF power 200 W
์กฐ๊ฑด์์ 45๋ถ ์ฆ์ฐฉํ์๊ณ , NiO๋ Ni ํ๊ฒ(purity : 99.99%, iTASCO)์ ์ด์ฉํ์ฌ Ar 20 sccm, O2 4.5 sccm, ๊ณต์ ์๋ ฅ 3 mTorr, DC power 55 W ์กฐ๊ฑด์์ 25๋ถ ์ฆ์ฐฉํ์๋ค. ๋ชจ๋ ์ฆ์ฐฉ์ ์์จ ์กฐ๊ฑด์์ ์งํ๋์๊ณ , ๊ธฐํ์ 4
rpm์ผ๋ก ํ์ ์์ผ ์์ ์ ์ฒด์ ๊ท ์ผํ๊ฒ ์ฆ์ฐฉ๋๋๋ก ํ์๋ค. AgNWs(silver nanowires)๋ ์คํ์ฝํฐ(Spin Coater, EF-40P)๋ฅผ
์ด์ฉํ์ฌ 1000 rpm์์ 10์ด, 2500 rpm์์ 15์ด, 1000 rpm์์ 10์ด ๋์ ์ฐ์์ผ๋ก ์คํ์ฝํ
ํ์๋ค. ๋ํ ์์์ ์ฐํ ๋ฐฉ์ง์
์ฑ๋ฅ ํฅ์์ ์ํ ๋ณดํธ์ธต์ผ๋ก์จ ZnO๋ฅผ ์์ ๊ธฐ์ ํ ๊ฒ๊ณผ ๋์ผํ ์กฐ๊ฑด์ผ๋ก 10๋ถ๊ฐ ์ฆ์ฐฉํ์๋ค.
๋ํ ์์์ ์ฑ๋ฅ์ ์ธก์ ํ๊ธฐ ์ํด, ๋ถ๊ด ๊ด๋๊ณ(UV-Vis spectrophotometer, UV-2600)๋ก ๊ดํ์ ํฌ๊ณผ๋์ ํก์๋๋ฅผ ํ์ธํ์๋ค.
๋ํ ์ํผ๋์ค ๋ถ์๊ธฐ(ZIVE SP2)์ ํจ์ ๋ฐ์๊ธฐ(Arbitrary Function Generator, AFG1022)๋ฅผ ์ด์ฉํ์ฌ 365nm LED
๊ด์์ ์กฐ์ฌํ์์ ๋์ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ์ ํ์ธํ๊ณ , ์ฃผํ์๋ฅผ ๊ฐ๋ณํ์ฌ ์์์ ์๋ต ํน์ฑ๊ณผ pyrocurrent์ ๋ณํ๋ฅผ ํ์ธํ์๋ค. ๋ชจ๋ ์ธก์ ์ ์์จ์์
์งํ๋์๋ค.
3. ๋ณธ ๋ก
3.1 ์์์ ๊ตฌ์กฐ ๋ฐ ํน์ฑ
๊ทธ๋ฆผ 2. (a) ZnO/NiO ์ด์ข
์ ํฉ ์์์ ๊ตฌ์กฐ ๋์ (b) ์์์ SEM ๊ณ๋ฉด ์ฌ์ง (c) ๋จ๋ฉด ์ฌ์ง
Fig. 2. (a) Schematics of ZnO/NiO heterojunction device structure (b) SEM images of
the top view (c) and cross-sectional view
์์์ ๊ตฌ์กฐ๋ ๊ทธ๋ฆผ 2(a)์ ๋ํ๋ ๊ฒ๊ณผ ๊ฐ์ด FTO glass/ZnO/NiO/AgNWs/ZnO๋ก ์ ์๋์๋ค. ๋์ ์๋์ง ๋ฐด๋๊ฐญ์ ๊ฐ์ง ZnO, NiO์ ๋๋ถ์ด ์๋ถ ์ ๊ทน์ผ๋ก
์ด์ฉํ AgNWs ๋ํ ๋์ ์ ๋ ฅ ๋ณํ ํจ์จ์ ๊ฐ์ง๊ณผ ๋์์ ๊ฐ์๊ด ํฌ๊ณผ์จ์ ๋๊ฒ ์ ์งํ ์ ์๋๋ก ํ๋ค. ์ด๋ฌํ ์ฅ์ ๋๋ถ์ ํฌ๋ช
ํ์์ ์ง์์ ํฌ๋ช
์ ๊ทน์ผ๋ก ์ฌ์ฉํ๊ธฐ์ ๋งค์ฐ ์ ํฉํ ๋ฌผ์ง์ด๋ค.[12] ๊ทธ๋ฆผ 2(b)์ SEM ๊ณ๋ฉด ์ด๋ฏธ์ง๋ฅผ ํตํด AgNWs์ ๋คํธ์ํฌ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ํ์ธํ ์ ์์ผ๋ฉฐ, ๊ทธ๋ฆผ 2(c)์ ๋จ๋ฉด ์ด๋ฏธ์ง๋ฅผ ํตํด ๊ฐ ์ธต์ ๋๊ป๊ฐ ZnO ์ฝ 200 nm, NiO ์ฝ 40 nm์์ ํ์ธํ์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 3. (a) ์ค์ ์์ ์ฌ์ง (b) ์์์ ๊ดํ์ ํฌ๊ณผ์จ, ํก์์จ ๋ฐ ํ๊ท ๊ฐ์๊ด ํฌ๊ณผ์จ(AVT) (c) ์์์ JโV ๊ณก์
Fig. 3. (a) Actual photograph of the device (b) Optical transmittance, absorbance
and AVT of the device (c) J-V curve of the device
๊ฒฐ๊ณผ์ ์ผ๋ก ์ด ์์๋ ๊ฐ์๊ด์ ์์ญ์์ ์ฝ 60%์ ํฌ๊ณผ์จ์ ๋ํ๋ด๋ฉฐ, ๊ทธ๋ฆผ 3(a)์ ๋ํ๋ธ ์ค์ ์ฌ์ง์์๋ ํฌ๋ช
ํจ์ ํ์ธํ ์ ์๋ค. ๊ทธ๋ฆผ 3(b)์ ๋ํ๋ ๊ฒ๊ณผ ๊ฐ์ด ํฌ๊ณผ์จ์ด ๋๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ๊ทธ์ ๋ฐ๋น๋กํ์ฌ ํก์์จ์ ๋ฎ๊ฒ ์ธก์ ๋์๋ค. ๋ํ ์ค์ ํ์๊ด ํ๊ฒฝ์์ ์ฌ๋์ ์๊ฐ์ ์ธ์ง๋ฅผ ๊ณ ๋ คํ์ฌ ํ๊ท
๊ฐ์๊ด ํฌ๊ณผ์จ(Average Visible Transmittance, AVT)๋ฅผ ๊ณ์ฐํ์๋ค. AVT๋ ์ฌ๋ ๋์ด ๊ฐ์ฅ ๋ฏผ๊ฐํ๊ฒ ๋ฐ์ํ๋ ๊ฐ์๊ด ์์ญ๋์
ํ์ฅ์์, ์ค์ ํ์๊ด ๋ถํฌ์ ๋ฐ๋ผ ์ฌ๋์ด ๋๋ผ๋ ํฌ๊ณผ์จ์ ๊ณ ๋ คํ ํ๊ท ๊ฐ์ด๋ค. AVT๋ ์ (1)๊ณผ ๊ฐ์ด ๊ณ์ฐํ ์ ์๋ค.
$T(\lambda)$๋ ๊ทธ๋ฆผ 3(b)์์ ๋ํ๋ธ ๊ฐ ํ์ฅ์์ ์์์ ํฌ๊ณผ์จ์ด๊ณ , $P(\lambda)$๋ ๊ตญ์ ์กฐ๋ช
์์ํ(Commission Internationale de l'รclairage,
CIE)์์ ์ ๊ณตํ ํ์ค ์๊ฐ ํจ์(photopic response)๋ก, ๋จ์๋ V(ฮป)์ด๋ค. $S(\lambda)$๋ AM 1.5G(Air Mass
1.5 Global solar spectrum)์์์ ํ์๊ด ์คํํธ๋ผ์ด๋ค. ์ฆ ์ธ๊ฐ์ ์๊ฐ์ด ํ์ฅ์ ๋ฐ๋ผ ๋ค๋ฅด๊ฒ ๋ฐ์ํ๋ ํน์ฑ๊ณผ ์ค์ ํ์๊ด ๋ถํฌ๋ฅผ
๊ณ ๋ คํ์ฌ, ์ธ๊ฐ์ด ์ค์ ๋ก ์ธ์งํ๋ ํฌ๋ช
๋๋ฅผ ๊ณ์ฐํ ๊ฒ์ด๋ค. ํด๋น ์์์ AVT๋ ์ฝ 60.3%๋ก ๊ณ์ฐ๋์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 3(c)์ J-V ๊ณก์ ์ ํตํด ์์์ ์ ๊ธฐ์ ์ฑ๋ฅ์ ํ์ธํ ์ ์๋ค. ๊ด ์ธ๊ธฐ๋ 0.02 W/cm2, ์กฐ์ฌ ๋ฉด์ ์ 2 cmยฒ์ด๋ค. ์์์ ํ์ฑ ๋ฉด์ ์ ๋ฐ๋ผ ์ฑ๋ฅ์ด ๋ค๋ฅด๊ฒ ๋ํ๋ ์ ์์ผ๋ฏ๋ก ์ ํํ ๋ถ์์ ์ํด ์ ๋ฅ ๋ฐ๋(current density)๋ฅผ
์ด์ฉํ์๋ค. dark ์ํ์์๋ ์ ํ ์์ฑ์ด ๊ฑฐ์ ์ผ์ด๋์ง ์๊ธฐ ๋๋ฌธ์, ์ ๋ฅ๋ ์ฃผ๋ก ์ ๊ทน ๊ฐ์ ๋์ค(leakage) ๋๋ ์์ ์บ๋ฆฌ์ด ์ด๋์ ์ํด์๋ง
์ ํ์ ์ผ๋ก ํ๋ฅธ๋ค. ๋ํ ์ด๋ก ์ VOC๋ 0 V์ ์์นํ์ง๋ง, ์ค์ ๋ก๋ ๋ฏธ์ธํ ์ฐจ์ด๊ฐ ์๋ ๊ฒ์ ํ์ธํ ์ ์๋ค. ํํธ, ๋น์ ์กฐ์ฌํ๋ฉด ์ ์โ์ ๊ณต ์์ด ์์ฑ๋๊ณ , ์์ฑ๋ ์บ๋ฆฌ์ด๊ฐ ์ ๊ทน์ผ๋ก
์ด๋ํ๋ฉฐ ์ ์์ฐจ๋ฅผ ํ์ฑํ๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ์ ๋ฅ์ ์ ์์ด ์ ์ฒด์ ์ผ๋ก ์ฆ๊ฐํ๋ค. 365 nm ํ์ฅ์ LED๋ฅผ ๊ด์์ผ๋ก ํ์ฌ 3.5 A, 3.5 V ์กฐ๊ฑด์ผ๋ก ์กฐ์ฌํ์์
๋, ๊ฐ๋ฐฉ์ ์(open circuit voltage, VOC)๋ 226 mV, ๋จ๋ฝ์ ๋ฅ๋ฐ๋(short circuit current density, JSC)๋ 92 ยตA/cm2๋ก ์ธก์ ๋์๋ค. ์ด๋ฅผ ํตํด ๋น์ ์กฐ์ฌํ์ง ์์์ ๋์ ๋นํด ์ ๋ฅ์ ์ ์ ๋ชจ๋ ํฅ์๋์์ผ๋ฉฐ photovoltaic ํจ๊ณผ๋ฅผ ๊ฐ์ง๋ ์์์์ ํ์ธํ์๋ค.
3.2 Pyroelectric ํจ๊ณผ์ ์ ๋ฅ ํน์ฑ
ZnO์ ์๋ฐ์ ์ธ ๋ถ๊ทน์ด ์์ ํ์ ์์ ํ์ ๋ถ๋ฆฌ๋ฅผ ์ ๋ํ ์ํ์์ ์ถ๊ฐ์ ์ผ๋ก ๋น์ด ์กฐ์ฌ๋๋ฉด, ๋น์ ์ํ photovoltaic effect๊ฐ
๋ฐ์ํจ๊ณผ ๋์์ ๋น์ ์ํ ์ด์ด ์ ๋ฌ๋์ด pyroelectric effect๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ค. ์ด๋ p-n ์ ํฉ์ผ๋ก ํ์ฑ๋ built-in electric
field์ ๊ฐ์ ๋ฐฉํฅ์ pyroelectric field๋ฅผ ํ์ฑํ๋ค. ์ด pyroelectric field๋ ์บ๋ฆฌ์ด์ ๋ถ๋ฆฌ๋ฅผ ์ด์งํ์ฌ ๊ด์ ๋ฅ๋ฅผ ์ฆ๊ฐ์ํจ๋ค.
๋ํ pyroelectric ์ ํ์ ์ํด ์ผํธํค(Schottky) ์ฅ๋ฒฝ์ ๋์ด๊ฐ ๋ฎ์์ง๊ณ , pyroelectric field์ ์ํด ๊ณตํ์ธต์ ํญ์ด
๋ณํํ๋ฉฐ ์ ๋ฅ๋ฅผ ๋์ฑ ํฅ์์ํจ๋ค. ์ด์ ๊ฐ์ด pyroelectric effect์ photovoltaic effect๊ฐ ์ํธ์์ฉํ๋ ํ์์ pyro-
phototronic effect๋ผ๊ณ ํ๋ค.[13]
๊ทธ๋ฆผ 4. ๋น์ on/off ์กฐ๊ฑด์์ ZnO/NiO ์ด์ข
์ ํฉ ์์์ ๊ณตํ์ธต ๋ณํ
Fig. 4. Schematic illustration of depletion region variation in the ZnO/NiO heterojunction
device under light on/off conditions
๊ทธ๋ฆผ 4(a)๋ ZnO/NiO ์ด์ข
์ ํฉ ์์์์ ์บ๋ฆฌ์ด ํ์ฐ์ผ๋ก ์ธํด ๊ณตํ์ธต์ด ํ์ฑ๋๋ ๋ชจ์ต์ ๋ณด์ฌ์ค๋ค. n-type ZnO๋ ๋ค์ ์บ๋ฆฌ์ด๋ก์ ์ ์๊ฐ, p-type
NiO๋ ์ ๊ณต์ด ๋ค์ ์บ๋ฆฌ์ด๋ก์ ์กด์ฌํ๋ค. ์ด์ ์ํด ZnO ์ชฝ์๋ ์(+), NiO ์ชฝ์๋ ์(-)์ fixed ion์ด ์๋ฆฌํ๊ฒ ๋๋ฉฐ ๊ณตํ์ธต์
ํ์ฑํ๋ค. ์ฆ์ฐฉ ์ดํ ZnO๋ random polarization ์ํ์์ผ๋, ๊ทธ๋ฆผ 4(b)์์ ๋ํ๋ธ ๊ฒ๊ณผ ๊ฐ์ด ์์์ ๋น์ ์กฐ์ฌํ๋ฉด ZnO ์ชฝ ํ๋ฉด ์จ๋๊ฐ ์์นํ์ฌ ์ด์ข
์ ํฉ ๊ณ๋ฉด ์ชฝ์ผ๋ก ์(-)์ pyro ์ ํ๊ฐ ๋ถํฌ๋์ด built-in
potential๊ณผ ๊ฐ์ ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก pyroelectric field๊ฐ ์์ฉํ๋ค. ์ด๋ก ์ธํด ๊ณ ์ ๋ ์ด์จ์ ์๊ฐ ์ฆ๊ฐํ๊ณ ์บ๋ฆฌ์ด๋ ๊ณตํ์ธต ์ธ๋ถ๋ก ๋ฐ๋ ค๋๋ฉฐ
์๊ฐ์ ์ผ๋ก ๋์ ์ถ๋ ฅ ์ ๋ฅ๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ค. ๋ฐ๋๋ก ๊ทธ๋ฆผ 4(c)์ ๊ฐ์ด ๋น์ ์กฐ์ฌํ๋ค๊ฐ ๋ ๊ฒฝ์ฐ์๋ ์จ๋๊ฐ ํ๊ฐํ๋ฉฐ ์ด์ข
์ ํฉ ๊ณ๋ฉด ์ชฝ์ผ๋ก ์(+)์ pyro ์ ํ๊ฐ ๋ถํฌํ์ฌ built-in potential๊ณผ
๋ฐ๋ ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก pyroelectric field๊ฐ ์์ฉํ๋ค.[14] ์ ๊ณ๊ฐ ์๋ก ์์ํ๋ฉฐ ์์ฉํ ๊ฒฐ๊ณผ๋ก ๊ณตํ์ธต์ ํญ์ด ์์์ง ๋งํผ ์ ์์ ์ ๊ณต์ด ๊ธฐ์กด๊ณผ ๋ฐ๋ ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก ์ด๋ํ๊ธฐ ์ฌ์์ง๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ๋ฐ๋ ๊ทน์ฑ์ ์ ๋ฅ๊ฐ ๋ฐ์ํ๊ฒ
๋๋ค.
pyroelectric current๋ ์ (2)์ ๊ฐ์ด ๊ณ์ฐํ ์ ์๋ค. $A$๋ ์ ๊ทน์ ๋ฉด์ , $p$๋ pyroelectric ์์, $\dfrac{d T}{dt}$๋ ์๊ฐ์ ๋ฐ๋ฅธ ์จ๋ ๋ณํ์จ์
์๋ฏธํ๋ค. ๋น์ on/off์ ๋ฐ๋ฅธ ์ด ๋ณํ๋ ์ฃผํ์๊ฐ ๋ฎ์์๋ก ์ด ์ ๋ฌ ์๊ฐ์ด ์ถฉ๋ถํด์ ธ ๋ฌผ์ง ๋ด๋ถ์ ๋ถ๊ทน์ด ๋์ฑ ํฌ๊ฒ ๋ณํํ๊ณ , ๊ฒฐ๊ณผ์ ์ผ๋ก ๋ ํฐ
pyrocurrent๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ค. ์จ๋ ๋ณํ๊ฐ ํฐ ๊ฒฝ์ฐ์๋ ๋์ผํ ํจ๊ณผ๊ฐ ๋ํ๋๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 5. ๋น on/off ์์ ํ ์ฃผ๊ธฐ ๋ถํด
Fig. 5. Decomposition of a single light on/off cycle
ํฌ๋ช
ํ์์ ์ง ์์์ ๋น์ด ์กฐ์ฌ๋์์ ๋ ๋น์ ์ํด ๋ฐ์ํ๋ ์ ๋ฅ๋ฅผ ๊ทธ๋ฆผ 5(a), ์ด์ ์ํด ๋ฐ์ํ๋ ์ ๋ฅ๋ฅผ ๊ทธ๋ฆผ 5(b)์ ๋ํ๋ด์๋ค. Iphoto๋ ๋น์ด ์ผ์ก์ ๋ ์ ๋ฅ๊ฐ ํ๋ฅด๊ณ , ๋น์ด ๊บผ์ก์ ๋๋ ์ ๋ฅ๊ฐ ํ๋ฅด์ง ์์ ๊ทธ๋ฆผ 5(a)์ ๊ฐ์ ํ์ค(pulsed) ํํ๋ฅผ ๋ณด์ธ๋ค. Ipyro์ ๊ฒฝ์ฐ์๋ ๊ทธ๋ฆผ 5(b)์ ๊ฐ์ด ๋น์ด on/off ๋ ๋๋ง๋ค ์จ๋ ๋ณํ์ ๋ฐ๋ฅธ ๋ถ๊ทน ๋ณํ์ ์ํด ๋ฐ์๋ peak๋ก ๋ณผ ์ ์๋ค.
์ด๋ฌํ ์๊ฐ ๊ตฌ๋ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ ์์์์ ๋น์ ์ํด ์ ๋๋ pyroelectric ํจ๊ณผ๋ฅผ ์์ธํ ์ค๋ช
ํ๊ธฐ ์ํด ๊ทธ๋ฆผ 4(c)์์ ํ ์ฃผ๊ธฐ์ ์ ๋ฅ ๋ณํ๋ฅผ 4๊ฐ์ ๊ตฌ๊ฐ์ผ๋ก ๋๋์๋ค. ๊ตฌ๊ฐ โ ์์ ์์์ ๋น์ด ์กฐ์ฌ๋๋ฉด, ๋น์ ์ํ photocurrent์ ํ๋ฉด์ ๊ธ๊ฒฉํ ์จ๋
์์น์ ์ํ pyrocurrent๊ฐ ํจ๊ป ๋ํ๋๊ฒ ๋๋ค. ๊ตฌ๊ฐ โก์์ ๋น์ ๊ณ์ ์กฐ์ฌํ๋ฉด ์จ๋ ๋ณํ๊ฐ ์์ผ๋ฏ๋ก pyrocurrent๋ ๋ฐ์ํ์ง ์๊ณ
๋น์ ์ํ photocurrent๋ง ์ ์ง๋๋ค. ๊ตฌ๊ฐ โข์์ ๋น์ด ๊บผ์ง๋ฉด ํ๋ฉด ์จ๋๊ฐ ๊ธ๊ฒฉํ๊ฒ ๊ฐ์ํ์ฌ ๋ฐ๋ ๋ฐฉํฅ์ pyrocurrent ํผํฌ๊ฐ ๋ฐ์ํ๊ณ ,
์ดํ ๊ตฌ๊ฐ โฃ์์ ๋น์ด ๊บผ์ง ์ํ๋ฅผ ์ ์งํ๋ฉด ์จ๋ ๋ณํ๋ ์กด์ฌํ์ง ์์ผ๋ฏ๋ก pyrocurrent์ photocurrent ๋ชจ๋ 0์ ๊ฐ๊น์ด ์์ ๋ฅ
์ํ๊ฐ ๋๋ค. ๊ตฌ๊ฐ โ ์์ peak๊ฐ ๋ฐ์ํ ๋์๋ built-in potential๊ณผ pyroelectric field๊ฐ ๊ฐ์ ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก ์์ฉํ์ฌ
์ ๊ณ๊ฐ ๊ฐํ๋๋ฉฐ, ์ด๋ก ์ธํด ๊ณตํ์ธต์ ํญ์ด ์ปค์ง๊ธฐ ๋๋ฌธ์ peak๊ฐ ๋น๊ต์ ๊ธธ๊ฒ ๋ํ๋๋ค. ๋ฐ๋ฉด ๊ตฌ๊ฐ โข์์๋ built-in potential๊ณผ
pyroelectric field๊ฐ ์๋ก ๋ค๋ฅธ ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก ์์ฉํ๋ฉฐ ์์๋๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ๊ตฌ๊ฐ โ ๋ณด๋ค ์งง์ peak๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ค.[15]
๊ทธ๋ฆผ 6. ์ฃผํ์ ๋ณํ์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ๋ฅ
Fig. 6. Current under variation of frequency
ํํธ, ์ฃผํ์๋ฅผ ๋ณํ์ํค๋ฉฐ ์ธก์ ํ ์ ๋ฅ๋ฅผ ๊ทธ๋ฆผ 6์ I-T ๊ทธ๋ํ๋ก ๋ํ๋ด์๋ค. ์ ์ฃผํ ์์ญ์์๋ photocurrent์ ํํ๊ฐ ๋๋ ทํจ๊ณผ ๋์์ pyrocurrent peak๊ฐ ๋งค์ฐ ๊ธธ๊ฒ ๋ฐ์ํ
๊ฒ์ ๋ณผ ์ ์๋ค. ์ฃผํ์๊ฐ ์ฆ๊ฐํ ์๋ก pyrocurrent peak์ ๊ธธ์ด๋ ์งง์์ง๋๋ฐ, ์ด๋ ์์์ ์จ๋ ๋ณํ๊ฐ ์ถฉ๋ถํ ์ผ์ด๋ ์๊ฐ์ด ๋ถ์กฑํด์ง๊ธฐ
๋๋ฌธ์ด๋ค. ์ฃผํ์๋ ๋จ์ ์๊ฐ(1์ด)๋์ ๋น์ on/off๊ฐ ๋ช ๋ฒ์ด๋ ์ด๋ฃจ์ด์ง๋์ง๋ฅผ ์๋ฏธํ๋ค. ์ฆ ์ฃผํ์๊ฐ ๋ฎ์์๋ก ๋น์ on/off ์ฃผ๊ธฐ๊ฐ ๊ธธ์ด์ง๊ณ ,
์์์ ์ถฉ๋ถํ ์จ๋ ๋ณํ๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ฉฐ pyrocurrent๊ฐ ํฌ๊ฒ ์ ๋๋๋ค. ๋ํ 1000 Hz ์ด์์ ๊ณ ์ฃผํ ์์ญ์์๋ photocurrent์ ํํ
์ญ์ ์๊ณก๋๋ ํ์์ ๊ด์ฐฐํ ์ ์๋ค. ์ด๋ ์ฃผํ์๊ฐ ์ฆ๊ฐํ๋ฉฐ ์์๊ฐ ๋น์ ๋ฐ์ํ๋ ์ ๋์ ์ํฅ์ ์ฃผ์ด, photocurrent์ ์๋ต์ด ์ง์ฐ๋๊ณ
ํ์ค ํํ๊ฐ ๋ณํ๋๊ธฐ ๋๋ฌธ์ด๋ค.[16]
3.3 ์์์ ๊ดํ ๋ฐ ์ด์ ์๋ต ํน์ฑ
ํฌ๋ช
ํ์์ ์ง๋ ๊ธฐ๋ณธ์ ์ผ๋ก p-n ์ ํฉ ๋ค์ด์ค๋์ด๋ฉฐ, ์
์ฌ๊ด์ ๋ํด์ ๋์ ๋ฐ์๋๋ฅผ ๊ฐ์ง๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ํฌ๋ช
ํ ์๊ฐ ๊ตฌ๋ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ก๋ ํ์ฉ๋ ์
์๋ค.[17]
๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ์ ์ฑ๋ฅ์ ๋ช ๊ฐ์ง ์ฃผ์ ํน์ฑ์ผ๋ก ํ๊ฐ๋๋ค. ๋จผ์ ๊ด ์๋ต๋(responsivity)๋ ๋จ์ ๋ฉด์ ๋น ๋จ์ ๊ด ์ธ๊ธฐ์์ ๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ฅผ ํต๊ณผํ๋
๊ด์ ๋ฅ๋ก ์ ์๋๊ณ , ๊ฒ์ถ๋(detectivity)๋ ์๋ต๋์ ์์ ๋ฅ๋ก ๊ณ์ฐํ์ฌ ์์๊ฐ ๋น์ ์ผ๋ง๋ ๋ฏผ๊ฐํ์ง๋ฅผ ๋ํ๋ด๋ ์งํ์ด๋ค. ์์์ ์๋ต๋์ ๊ฒ์ถ๋๋
์ (3), ์ (4)์ ๊ฐ์ด ๊ณ์ฐํ ์ ์๋ค.[18][19]
์
์ฌ๊ด ๊ด๋ Pin = 0.02 W/cm2, A = 2.25 cm2, Idark = 0.008 mA ์์ ์ฃผํ์์ ๋ฐ๋ฅธ ์๋ต๋์ ๊ฒ์ถ๋๋ฅผ ๊ณ์ฐํ์ฌ ๊ทธ๋ฆผ 7(a)์ (b)์ ๊ฐ๊ฐ ๋ํ๋ด์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 7. ์ฃผํ์์ ๋ฐ๋ฅธ (a) ์๋ต๋์ (b) ๊ฒ์ถ๋์ ๋ณํ
Fig. 7. Frequency dependence of (a) Responsivity and (b) Detectivity under photo,
pyro
์ฃผํ์๊ฐ ๋ณํจ์๋ photocurrent์ ์ํ ์๋ต๋์ ๊ฒ์ถ๋๋ ์ฝ 3.37 A/W, 0.316ร1013 Jones์ ๊ฐ์ ๊ฐ์ง๋ฉฐ ๊ฑฐ์ ์ผ์ ํ๊ฒ ์ ์ง๋๋ ๊ฒ์ ๋ณด์ photocurrent๋ ์ฃผํ์์ ๋ณํ์ ํฐ ์ํฅ์ ๋ฐ์ง ์์์ ์ ์ ์์๋ค. ๋ฐ๋ฉด
pyrocurrent๋ ์ฃผํ์๊ฐ ๋ฎ์์๋ก, ํนํ 100 Hz ์ดํ์ ์ฃผํ์ ์์ญ์์ ๊ธ๊ฒฉํ ์ฆ๊ฐํ๋ ์์์ ๋ณด์๋ค. ๊ฒฐ๊ณผ์ ์ผ๋ก photocurrent์
pyrocurrent๋ฅผ ๋ชจ๋ ๊ณ ๋ คํ์์ ๋, ์ ์ฃผํ ์์ญ์ธ 0.5 Hz์์๋ pyroelectric ํจ๊ณผ์ ์ํด ์ ๋ฅ๊ฐ ์ฆ๊ฐํ์ฌ ์๋ต๋ 19.511
A/W, ๊ฒ์ถ๋ 1.830ร1013 Jones๋ก ๋์ ๊ฐ์ ๋ํ๋๋ค. ๊ณ ์ฃผํ ์์ญ์ธ 3000 Hz์์๋ pyroelectric ํจ๊ณผ์ ์ํ ์ ๋ฅ ์ฆ๊ฐ๊ฐ ์ ์ด ์๋ต๋ 8.578 A/W,
๊ฒ์ถ๋ 0.805ร1013 Jones๋ก ๊ฐ์ํ์์ผ๋, ์ฌ์ ํ ๋ฏผ๊ฐํ๊ฒ ๋์ํ๋ ๊ณ ๊ฐ๋ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ก์จ์ ํน์ฑ์ ํ์ธํ์๋ค.
์ฃผํ์์ ๋ฐ๋ฅธ ์์์ ๊ดํ ๋ฐ ์ด์ ์๋ต ํน์ฑ์ ํ 1์ ์ ์ํ์๋ค. ์์ ํ์ธํ๋ฏ photocurrent๋ pyrocurrent์ ๋ฌ๋ฆฌ ์ฃผํ์ ๋ณํ์ ๊ฑฐ์ ์ํฅ์ ๋ฐ์ง ์๊ณ ์ผ์ ํ ๊ฐ์ ์ ์งํ์๋ค.
์ด๋ photocurrent๊ฐ ์ฃผ๋ก ์
์ฌ๊ด์ ์ธ๊ธฐ์ ์์กดํ๋ฉฐ, ๋น์ on/off ์ฃผ๊ธฐ์ ๊ฐ์ ์๊ฐ์ ์์์๋ ๋ฏผ๊ฐํ์ง ์์์ ๋ณด์ฌ์ค๋ค. ๋ฐ๋ฉด pyrocurrent๋
์ฃผํ์๊ฐ ๋ฎ์์ง์๋ก, ํนํ 100 Hz ์ดํ์ ์ ์ฃผํ์ ์์ญ์์ ๋์ ๋๊ฒ ์ฆ๊ฐํ์๊ณ , ์ด์ ๋ฐ๋ผ ์๋ต๋์ ๊ฒ์ถ๋ ๋ํ ํฅ์๋์๋ค. ์ด๋ฌํ ํน์ฑ์
๋จ์ํ ํ์์ ์ง๋ก์จ์ photovoltaic ํจ๊ณผ์ ๊ทธ์น์ง ์๊ณ pyroelectric ํจ๊ณผ๊ฐ ๊ฒฐํจ๋จ์ผ๋ก์จ ์๋ก์ด ํํ์ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ก ์์ฉ๋ ์ ์์์
๋ณด์ฌ์ค๋ค. ํนํ ZnO/NiO ๊ธฐ๋ฐ์ ํฌ๋ช
ํ์์ ์ง ์์๋ ๊ฐ์๊ด ์์ญ์์ ๋์ ํฌ๊ณผ์จ์ ๋ํ๋ด๋ฉด์๋ ๋๋ ทํ ๊ดํ์ ๋ฐ ์ด์ ์๋ต์ ๋ณด์ธ๋ค. ๋ฐ๋ผ์
๋ณธ ์์๋ ๋จ์ํ ๊ด๊ฒ์ถ์ ๋์ด ์ด์ ์๋ต ํน์ฑ์ ๋ฐ์ํ๋ ํฌ๋ช
ํ ๊ณ ๊ฐ๋ ๊ด๋์ญ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ก์จ ์ด์ฉ๋ ๊ฐ๋ฅ์ฑ์ ๋ณด์ฌ์ฃผ์์ผ๋ฉฐ, ๋์๊ฐ pyroelectric
ํจ๊ณผ๊ฐ photodetector์ ์ฑ๋ฅ ํฅ์์ ๊ธฐ์ฌํ ์ ์์์ ์์ฌํ๋ค.
ํ 1. ์ฃผํ์์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ๋ฅ, ์๋ต๋(R), ๊ฒ์ถ๋(D)๋ก ์์ฝํ ์์์ ๊ดํ ๋ฐ ์ด์ ์๋ต ํน์ฑ
Table 1. Optical and thermal response characteristics summarized as current, responsivity
(R), and detectivity (D) at different frequencies
|
Frequency (Hz)
|
Photo current (mA)
|
Pyro current (mA)
|
Photo + Pyro current (mA)
|
Responsivity (A/W)
|
Detecitivity (ร1013 Jones)
|
|
Photo
|
Photo + Pyro
|
Photo
|
Photo + Pyro
|
|
3000
|
0.139
|
0.255
|
0.394
|
2.911
|
8.578
|
0.273
|
0.805
|
|
2000
|
0.141
|
0.286
|
0.427
|
2.956
|
9.311
|
0.278
|
0.873
|
|
1000
|
0.159
|
0.330
|
0.489
|
3.356
|
10.689
|
0.315
|
1.002
|
|
500
|
0.146
|
0.378
|
0.524
|
3.067
|
11.467
|
0.288
|
1.008
|
|
100
|
0.183
|
0.491
|
0.674
|
3.889
|
14.801
|
0.365
|
1.388
|
|
50
|
0.175
|
0.571
|
0.746
|
3.711
|
16.401
|
0.348
|
1.538
|
|
10
|
0.171
|
0.588
|
0.759
|
3.622
|
16.689
|
0.340
|
1.565
|
|
5
|
0.164
|
0.592
|
0.756
|
3.467
|
16.622
|
0.325
|
1.559
|
|
2.5
|
0.158
|
0.608
|
0.766
|
3.333
|
16.844
|
0.313
|
1.580
|
|
1
|
0.153
|
0.625
|
0.778
|
3.222
|
17.111
|
0.302
|
1.605
|
|
0.5
|
0.167
|
0.719
|
0.886
|
3.533
|
19.511
|
0.331
|
1.830
|
4. ๊ฒฐ ๋ก
๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์๋ ๋น๋ฟ๋ง ์๋๋ผ ์ด๊น์ง ์ด์ฉํ ์ ์๋ ํฌ๋ช
ํ ๊ณ ๊ฐ๋ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ์ ๋ํด ์ฐ๊ตฌํ์๋ค. p-type์ NiO์ n-type์ ZnO์
์ด์ข
์ ํฉ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ์ด์ฉํ์ฌ ํฌ๋ช
๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ฅผ ์ ์ํ์๊ณ , ์ด ์์๋ฅผ ํตํด pyroelectric ํจ๊ณผ๊ฐ ๊ด๊ฒ์ถ ํน์ฑ์ ๋ฏธ์น๋ ์ํฅ์ ๋ถ์ํ์๋ค. ์ ์๋
์์๋ ๊ฐ์๊ด ์์ญ์์ ํ๊ท ํฌ๊ณผ์จ ์ฝ 60.3%๋ฅผ ๋ํ๋์ผ๋ฉฐ, 365 nm ํ์ฅ์ LED ํ์์ VOC๋ 226 mV, JSC๋ 92 ยตA/cmยฒ๋ฅผ ๋ณด์์ผ๋ก์จ ํ์์ ์ง๋ก์์ ๊ตฌ๋ ํน์ฑ์ ํ์ธํ์๋ค. ์ฃผํ์๋ฅผ ๋ณํ์ํค๋ฉฐ ์ ๋ฅ๋ฅผ ์ธก์ ํ ๊ฒฐ๊ณผ, photocurrent๋ ์ฃผํ์
๋ณํ์ ํฌ๊ฒ ์์กดํ์ง ์๊ณ ์ผ์ ํ๊ฒ ์ ์ง๋ ๋ฐ๋ฉด, pyrocurrent๋ ์ ์ฃผํ์์์ ํ์ ํ ์ฆ๊ฐํ์ฌ ์๋ต๋์ ๊ฒ์ถ๋๋ฅผ ํฌ๊ฒ ํฅ์์ํค๋ ๊ฒ์ ํ์ธํ์๋ค.
ํนํ pyroelectric ํจ๊ณผ๋ฅผ ํฌํจํ ๊ด๊ฒ์ถ ํ๊ฒฝ์์๋ 0.5 Hz์์ ์๋ต๋ 19.511 A/W, ๊ฒ์ถ๋ 1.830ร1013 Jones๊น์ง ๋๋ฌํ์ฌ, pyroelectric ํจ๊ณผ๊ฐ ์์์ ์ฑ๋ฅ ํฅ์์ ์ค์ํ ์ญํ ์ ํจ์ ํ์ธํ์๋ค. ์ด์ฒ๋ผ ๊ธฐ์กด์ ํ์ธ๋ ZnO/NiO ๊ธฐ๋ฐ
๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ์๋ ๋ฌ๋ฆฌ ์ฃผํ์ ๋ณํ์ ๋ฐ๋ฅธ photocurrent ๋ฐ pyrocurrent ๋ณํ์ ๋ํ ๋๋ ทํ ๊ฒฝํฅ์ฑ์ ํ์ธํ์๋ค.
์ด๋ฌํ ๊ฒฐ๊ณผ๋ ZnO/NiO ๊ธฐ๋ฐ ํฌ๋ช
์์๊ฐ photovoltaic ํจ๊ณผ๋ก ์๊ฐ๊ตฌ๋(self-operation) ์ ๋ ฅ์ ๊ณต๊ธํ์ฌ ๊ด๊ฒ์ถ๊ธฐ๋ก
ํ์ฉ์ด ๊ฐ๋ฅํ๊ฒ ํ๋ค. ๋ํ ๋จ์ํ ๊ด๊ฒ์ถ ์์๋ฅผ ๋์ด, photovoltaic ํจ๊ณผ์ pyroelectric ํจ๊ณผ๋ฅผ ๋์์ ํ์ฉํ ์ ์๋ ์ฐจ์ธ๋
photodetector๋ก ์์ฉ๋ ์ ์์์ ๋ณด์ฌ์ค๋ค. ๋์๊ฐ ์ฃผํ์์ ๋ฐ๋ผ ์์๊ฐ ์ต์ ์ ์ฑ๋ฅ์ ๋ผ ์ ์๋๋ก ์ค๊ณํจ์ผ๋ก์จ ์ค๋งํธ ์๋์ฐ, ์จ์ด๋ฌ๋ธ
๋๋ฐ์ด์ค, ๊ตฐ์ฉ ์ฅ๋น์ ๊ฐ์ ์์ฉ ๋ถ์ผ์์ ๋์ ํจ์จ์ ๊ธฐ๋ํ ์ ์๋ค.
Acknowledgements
The authors acknowledge the financial support of National Research Foundation
of Korea (NRF) grant funded by the Korea government by the Ministry of Science and
ICT (MSIT, RS-2024-0034883, NRF-2022R1I1A1A01054397) and Brain Pool Program (RS-2023-00283263).
References
V. K. Sharma, G. Monteleone, G. Braccio, C. N. Anyanwu, N. N. Aneke, 2025, A Comprehensive
Review of Green Energy Technologies: Towards Sustainable Clean Energy Transition and
Global Net-Zero Carbon Emissions, Processes, Vol. 13, No. 1, pp. 69

F.J.M.M. Nijsse, JF. Mercure, N. Ameli, 2023, The momentum of the solar energy transition,
Nature Communications, Vol. 14, pp. 6542

E. Pulli, E. Rozzi, F. Bella, 2020, Transparent photovoltaic technologies: Current
trends towards upscaling, Energy Conversion and Management, Vol. 219, pp. 112982

A. K. Rana, M. Kumar, D.-K. Ban, C.-P. Wong, J. Yi, J. Kim, 2019, Enhancement in performance
of transparent p-NiO/n-ZnO heterojunction ultrafast self-powered photodetector via
pyro-phototronic effect, Advanced Electronic Materials, Vol. 5, No. 9, pp. 1900438

ร. รzgรผr, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doฤan, V. Avrutin, S.-J.
Cho, H. Morkoรง, 2005, A comprehensive review of ZnO materials and devices, Journal
of Applied Physics, Vol. 98, No. 4, pp. 041301

A. R. Jayakrishnan, J. P. B. Silva, K. Gwรณลบdลบ, M. J. M. Gomes, R. L. Z. Hoye, J. L.
MacManus-Driscoll, 2023, The ferro-pyro-phototronic effect for high-performance self-powered
photodetectors, Nano Energy, Vol. 118, pp. 108969

M. Ding, H. Wu, H. Niu, Y. Luo, R. Zhu, 2018, One-Dimensional Zinc Oxide Nanomaterials
for Application in High-Performance Advanced Optoelectronic Devices, Crystals, Vol.
8, No. 5, pp. 223

J. Tian, 2023, An overview of pyroelectric photodetector: Photoresponse mechanisms
and applications, AIP Advances, Vol. 13, No. 5, pp. 050701

M. S. Jamal, S. A. Shahahmadi, P. Chelvanathan, H. F. Alharbi, M. R. Karim, Monis
Luqman, N. H. Alharthi, Y. S. Al-Harthi, M. Aminuzzaman, Nilofar Asim, K. Sopian,
S. K. Tiong, N. Amin, Md. Akhtaruzzaman, 2019, Effects of growth temperature on the
photovoltaic properties of RF sputtered undoped NiO thin films, Results in Physics,
Vol. 14, pp. 102360

J. Lee, N. Kumar, M. Patel, B.-J. Shin, J. Kim, 2022, Enhancement of Metal-oxide (NiO/ZnO)
Transparent Photodetector Properties with Bias Tuning, Journal of the Korean Solar
Energy Society, Vol. 42, No. 6, pp. 41-50

S. Podder, B. Basumatary, D. Gogoi, J. Bora, A. R. Pal, 2021, Pyro-phototronic application
in the Au/ZnO interface for the fabrication of a highly responsive ultrafast UV photodetector,
Applied Surface Science, Vol. 537, pp. 147893

C. Choi, E. Schlenker, H. Ha, B. Hwang, 2023, Versatile applications of silver nanowire-based
electrodes and their impacts, Micromachines, Vol. 14, No. 3, pp. 562

A. R. Jayakrishnan, J. P. B. Silva, K. Gwรณลบdลบ, M. J. M. Gomes, R. L. Z. Hoye, J. L.
MacManus-Driscoll, 2023, The ferro-pyro-phototronic effect for high-performance self-powered
photodetectors, Nano Energy, Vol. 118, pp. 108969

L. Chen, B. Wang, J. Dong, F. Gao, H. Zheng, M. He, X. Wang, 2020, Insights into the
pyro-phototronic effect in p-Si/n-ZnO nanowires heterojunction toward high-performance
near-infrared photosensing, Nano Energy, Vol. 78, pp. 105260

C. Choi, M. Patel, J. Kim, 2024, High-performing transparent ZnO/NiO pyroelectric
devices with frequency modulation, Journal of the Korean Solar Energy Society, Vol.
42, No. 6, pp. 49-63

Y. Feng, Y. Zhang, Y. Wang, Z. Wang, 2018, Frequency response characteristics of pyroelectric
effect in p-n junction UV detectors, Nano Energy, Vol. 54, pp. 429-436

T. T. Nguyen, M. Patel, S. Kim, R. A. Mir, J. Yi, V.-A. Dao, J. Kim, 2021, Transparent
photovoltaic cells and self-powered photodetectors by TiOโ/NiO heterojunction, Journal
of Power Sources, Vol. 481, pp. 228865

W. Tian, Y. Wang, L. Chen, L. Li, 2017, Self-Powered Nanoscale Photodetectors, Small,
Vol. 13, No. 45, pp. 1701848

M. Kumar, M. Patel, T. T. Nguyen, J. Kim, J. Yi, 2018, High-performing ultrafast transparent
photodetector governed by the pyroโphototronic effect, Nanoscale, Vol. 10, No. 15,
pp. 6928-6935

์ ์์๊ฐ
She is a researcher and pursuing the B.S. degree as a double major in Materials Science
& Engineering and Electrical Engineering at Incheon National University, Incheon,
Korea, since 2023.
She is a researcher and an Integrated Ph.D. program student in the Department of Electrical
Engineering at Incheon National University, Korea, under the supervision of Professor
Joondong Kim. She earned her Bachelor's degree from Ho Chi Minh City University of
Technology and Education, Vietnam.
He is a researcher and an Integrated PhD program student in the Department of Electrical
Engineering from Incheon National University in Korea. He pursued his Bachelor's degree
from American International University-Bangladesh, Dhaka, Bangladesh.
He is a researcher and an Integrated Ph.D. program student in the Department of Electrical
Engineering from Incheon National University, Incheon, Korea. He pursued his Bachelor's
degree from Premier University, chittagong, Bangladesh.
He is a principal researcher in the Multidisciplinary Core Institute for Future Energies
(MCIFE) and an adjunct professor at Incheon National University in Korea. He pursued
his Ph.D. in 2014 from Pandit Deendayal Petroleum University, India.
He is the Dean of College of Engineering and a Professor in the Department of Electrical
Engineering at Incheon National University, Korea.