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  1. (Dept. of Materials Science & Engineering, Inha Technical College, Korea.)
  2. (Dept. of Electronic Engineering, Kangnam University, Korea.)



Indium Tin Oxide, Electrical surface resistance, Reflectance, Transmittance, Absorbance

1. 서 론

투명 전도막 (Transparent Conductive Films)은 현대 기술과 전자 기기 분야에서 중요한 역할을 하는 핵심 소재 중 하나로 이러한 막은 전기를 전도하면서 동시에 빛을 투과할 수 있는 특성을 가지고 있다[1-3].

이러한 투명 전도막의 기본 원리는 전기 전도성과 광 투과성을 조화시키는 것으로 일반적으로 금속은 전기를 전도하기에 우수하지만, 빛을 투과시키지 않는다. 반대로 투명한 소재는 빛을 투과시키지만 전기를 전도하지 못한다. 따라서 투명 전도막은 이러한 상반된 특성을 결합하여 빛을 투과하면서도 전기를 전달할 수 있는 소재이다.

이 물질은 터치 스크린, 액정 디스플레이 (LCD), 유기 발광 다이오드 (OLED), 태양 전지 패널, 전자 종이 디스플레이에 적용되고 있으며, 투명도와 전기 전도도 두 가지 특성을 향상시키기 위하여 투명 전도막 기술은 지속적으로 연구되고 있다[4,5].

보다 효율적이고 경제적인 투명 전도막 소재를 다음과 같은 측면에서 연구를 진행하고 있다. 먼저 소재 개발로는 금속 나노 와이어, 탄소 나노튜브, 금속-산화물 하이브리드 등이 있다. 다음으로 유연한 전도막으로 플렉서블 디스플레이와 같이 유연한 응용 분야를 위한 투명 전도막 기술도 개발되고 있으며, 대표적이 재료로는 나노기술을 활용하여 투명 전도막의 전기 전도성을 향상시키고 광 투과성을 개선하는 연구가 진행 중이다[6-8].

투명 전도막 기술은 현대 기술과 전자 기기 분야에서 더욱 중요한 역할을 할 것으로 예상되며, 향상된 기술은 더 얇고 가벼운 디스플레이와 전자 기기를 가능하게 하며, 태양 전지 패널과 같은 에너지 획득 기술에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대하고 있다. 또한 환경 친화적인 소재 개발과 자원 효율성을 높이는 연구가 지속적으로 진행될 것이다.

ITO(Indium Tin Oxide)는 투명 전도막로 널리 사용되는 물질 중 하나로, 전자기기에서 중요한 역할을 하고 있다[9-11]. 그러나 ITO의 주요 구성 요소인 인듐(Indium)은 지구상에서 희귀한 금속 중 하나로, 한정된 자원을 가지고 있다. 공급량 부족으로 인해 가격이 상승하고, 이는 ITO 기술의 경제성을 저해하고 있다. 또한, ITO 코팅은 상대적으로 얇고 취약하며, 기계적인 압력이나 긁힘에 쉽게 손상될 수 있고, 이로 인해 장기간의 사용 또는 가혹한 환경에서의 사용에 적합하지 않을 수 있다. 뿐만 아니라, 금속 기반의 투명 전도체에 비해 전기적 안정성이 낮아서 급격한 온도 변화나 습도 변화에 민감하며, 전기적 변화에 취약하게 된다.

이러한 문제점으로 인해 ITO 대체 솔루션에 대한 연구와 개발이 활발하게 진행되고 있다. 본 연구진에서는 앞에서도 언급하였지만, 이러한 소재의 대안으로 실버 나노와이어, 탄소 나노튜브, 나노와이어와 나노튜브 결합, AZO(Aluminium Zinc Oxide) 등에 대해 조사하여 일부는 논문으로 출간하였다[12]. 하지만, 이러한 소재들 모두가 ITO 박막의 투과도와 전도도 면에서 향상된 특성을 보이는 물질 및 공정 조건을 확보하지 못하였다. 따라서 두 가지 방향으로 향후 연구 방향을 모색하였으며, 첫 번째는 다른 대체 물질의 지속적인 발굴이고, 두 번째는 ITO를 더 쉽고 저가격으로 박막을 형성하는 기술의 개발이다.

본 문헌에서 제안하는 기술은 ITO를 글라스와 매우 두꺼운 플라스틱에 코팅하여 광 및 전기적인 특성에 대하여 분석하여 다양한 소재상에 형성된 ITO막의 물성에 대한 데이터를 축적하는데 목적이 있으며, 특히 두꺼운 플라스틱 상에서의 ITO의 특성은 향후 다양한 분야로의 응용을 기대한다.

2. 실험 방법

ITO를 코팅하기 위한 공정 순서는 다음과 같다. 먼저, 기판 소재로 사용될 열에 강한 0.5mm 두께의 내열성 글라스와 5mm 두께의 투명 플라스틱 소재를 2cm x 2cm 이상으로 자른 후 (Fig. 1 참조) 표면에 남아있는 파티클들을 질소건을 이용하여 제거한다. 이후 DI(Deionized) water에 이 소재들을 담그고, 초음파를 이용하여 약 5분정도 눈으로 확인되지 않는 미세한 입자들을 추가로 탈착시킨다.

그림 1. (a) 0.5mm 두께의 내열성 글라스와 (b) 5mm 두께의 투명 플라스틱 소재의 이미지

Fig. 1. Images of (a) heat-resistant glass with a thickness of 0.5mm and (b) transparent plastic materials with a thickness of 5mm

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상기 공정으로 진행된 기판들의 표면은 물이 표면에 잘 퍼지지 않는 소수성 상태로 이 기판에 건식이나 습식으로 막을 코팅하면, 기판과의 접착력이 약하다. 따라서, 이러한 표면 상태를 친수성으로 변화시켜야 하며, 이 때 두 가지 방법이 사용될 수 있다. 첫 번째로는 용액을 이용하는 것과 두 번째로는 산소 플라즈마를 사용하는 방법이 있다. 본 연구에서는 상압플라즈마 장비에 산소와 아르곤을 공급하여 산소를 발생시켜 기판 표면을 처리하는 방법을 적용하였다. 이때 사용된 공정 조건은 다양한 문헌에 소개되어 있으며, 간단히 요약하면, 상압플라즈마의 장비 헤드에 아르곤과 산소를 공급한 후 100W의 RF 파워를 공급하여 산소 플라즈마를 형성시키고, 30초 동안 기판 표면을 처리한다. 이러한 산소 플라즈마는 기판 표면의 유기물을 산소와 반응시켜 제거하게 되면, 기판 표면은 친수성으로 변하여 원하는 소재의 박막을 코팅할 수 있는 환경이 구현된다. 다음으로 전자빔 및 스퍼터 공정이 가능한 장비로 ITO 박막의 코팅을 수행하며 공정 조건은 다음과 같다.

그림 2. 0.5mm 두께의 내열성 글라스에 (a) 900Å, (c) 1100Å, (e) 3200Å의 ITO를 증착, 5mm 두께의 투명 플라스틱에 (b) 900Å, (d) 1100Å, (f) 3200Å의 ITO를 증착한 샘플들의 이미지. 오른쪽 아래는 각각의 샘플들의 박막 두께를 알파 스텝으로 측정한 결과

Fig. 2. (a) 900Å, (c) 1100Å, (e) 3200Å ITO was deposited on 0.5mm thick heat- resistant glass, and (b) 900Å, (d) 1100Å, (f) 3200Å ITO was deposited on 5mm thick transparent plastic. The bottom right shows the results of measuring the thin film thickness of each sample using alpha steps.

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먼저, 아르곤 15sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)과 산소를 1sccm을 챔버에 공급하고, 300W의 DC 전력을 가하면, 챔버 내부 진공도는 1mTorr가 되며, 증착 속도는 1Å/s이다. ITO 물질의 두께에 따른 영향성도 파악하기 위하여 900Å, 1100Å, 3200Å의 두께의 샘플들을 제작하였으며, 그 이미지를 Fig. 2에 나타내었다. 이러한 소재들의 두께는 박막 증착시 장비에 장착되어 있는 두께 측정 모니터(Thickness monitor)와 증착 후 1 nm 두께까지 측정 가능한 알파 스텝(Alpha step) 장비를 이용하여 측정한 값이며, 그 측정 결과도 Fig. 2에 보였다. 두께 차이가 크지 않은 900Å과 1100Å을 선택한 이유는 AMOLED 디스플레의 투명 전극으로의 적용을 위한 최적 두께는 1000Å로 이 두께보다 두께운 박막과 보다 얇은 박막의 특성을 파악하여 10%의 차이에 대한 영향성을 검토한 후 양산시 장비의 두께 편차를 고려하기 위함이다. 또한, 3200Å로 두껍게 막을 형성한 것은 ITO를 이 두께까지 형성하여 새로운 분야(이차전지)에 적용하였을 때 매우 우수한 물리적, 전기적인 특성을 나타냈기 때문이다. 따라서, 이러한 두께들에 대한 박막의 광학 및 전기적인 특성에 대한 기초 데이터가 필요하다.

3. 이론 고찰

3.1 기판 종류 및 박막 두께에 따른 전기적인 특성

증착된 박막의 전기적인 특성 중 표면 저항을 4 point probe 장비를 이용하여 측정하였으며, 그 결과는 Table 1과 같다. 박막의 두께가 증가함에 따라 표면 저항은 29Ω/□에서 16.5MΩ/□으로 급격하게 변화되는 경향을 나타내며, 이러한 결과들은 박막내의 산소에 의한 것으로 공정시 산소 유량이 높으면, 형성된 박막의 산소 비율이 커서 생성된 캐리어(전자)의 농도가 감소하기 때문에 저항은 높아진다[13,14]. 박막이 형성되지 않은 기판들은 절연체(Insulator)로 무한대의 표면저항 값을 보이며 기판상 박막 두께가 증가함에 따라 증가하는 방향으로 큰 변화가 관찰되었다. 이러한 기판상에 형성된 박막들을 기판 종류에 상관없이 두께가 동일하면 같은 저항값을 나타내는 것을 예상할 수 있으며, 결과도 같은 경향임을 확인할 수 있었다.

표 1 기판과 증착된 ITO 박막의 두께에 따른 표면 저항

Table 1 Surface resistance according to the substrate and the thickness of deposited ITO film

 

Surface resistance

(Ω/□)

Thin

Thick

Bare glass

900Ȧ

29.0

28.7

1100Ȧ

36.2

35.9

3100Ȧ

16503000

16489000

 

그림 3. (a) 0.5mm와 (b) 5mm 두께의 기판상에 형성된 ITO 박막의 반사도

Fig. 3. Reflectance of the ITO film formed on substrates with thicknesses of (a) 0.5mm and (b) 5mm

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일반적으로 두께가 얇을 때 저항값이 측정된다면, 두께가 증가함에 따라 감소하는 것이 일반적인 경향이지만, 제작된 샘플은 반대의 특성을 나타내었으며, 증착시 챔버에 산소를 1sccm 지속적으로 공급하였기 때문이다[13,15]. 이러한 현상을 이용하여 원하는 저항값을 가지는 ITO막을 얻을 수 있는 공정 방법을 확보할 수 있었으며, 본 연구진이 집중적으로 실험하고 있는 이차전지 분야에는 두께보다 원하는 저항값을 나타내는 막을 형성하는 것이 매우 중요하기 때문이다.

그림 4. (a) 0.5mm와 (b) 5mm 두께의 기판상에 형성된 ITO 박막의 투과도

Fig. 4. Transmittance of the ITO film formed on substrates with thicknesses of (a) 0.5mm and (b) 5mm

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3.2 기판 종류 및 박막 두께에 따른 광학적인 특성

투명 전극에 대한 광학적인 특성, 즉, 반사도(R: Reflectance), 투과도(T: Transmittance), 흡수도(α: Absorbance)에 대한 특성을 측정하기 위하여 200nm에서 1900nm의 파장까지 측정 가능한 분광광도계(Spectrometer) 장비를 이용하여 박막과 빛의 상관성에 대한 분석을 진행하였다. 먼저, 모든 샘플에 대하여 적분구를 이용하여 확산투과도와 확산반사도를 분석하였으며, 기판에 따른 확산반사도 결과를 Fig. 4에 나타내었다. Fig. 4(a)와 4(b)는 0.5mm와 5mm 두께의 기판상에 형성된 ITO 박막의 반사도를 나타내며 비교를 위하여 박막이 없는 기판에 대한 결과도 보여주고 있을 뿐만 아니라, 거의 모든 파장영역에서 가장 낮은 반사도를 보였다. 또한, 파장이 증가함에 따라 반사도는 모든 샘플에서 감소하는 결과를 나타낸다. 두 기판상에 증착된 박막에 의하여 반사도가 증가하는 현상은 일반적이지만, 특이한 점은 1600nm이상의 파장에서는 두 기판 모두 ITO가 증착된 샘플이 박막이 코팅되지 않은 기판보다 낮은 반사도 경향을 나타내었으며 3200Å 샘플에서는 파장이 공진(Oscillation)하는 것이 명확하게 관찰되었다. 또한, Fig. 4(b)의 두꺼운 기판에서는 1200nm이상 파장에서 기판에 의한 진동들이 동일한 파장에서 확인되었으며, 이러한 현상은 두꺼운 기판에 의한 것이다.

Fig. 5(a)와 5(b)는 0.5mm와 5mm 두께의 기판상에 형성된 ITO 박막들의 투과도를 나타내며 비교를 위하여 박막이 없는 기판에 대한 결과도 보여주고 있다. 반사도의 파장에 따른 변화와는 다르게 투과도는 기판 종류에 관계없이 코팅된 박막이 없는 소재에서 높은 측정 결과를 나타내었다. Fig. 4(a)의 반사도 데이터 중 가장 두꺼운 막이 형성되어 있는 샘플의 값들은 모든 측정 영역에서 공진이 관찰되었지만, Fig. 5(a)의 얇은 기판상 3200Å 두께로 형성된 샘플에서는 1200nm 파장보다 긴 값들에서는 이러한 공진 현상이 관찰되지 않는다. Fig. 5(b)에서와 같이 두께운 소재의 경우 파장에 따라 4 영역으로 구분할 수 있다. 먼저, 400nm 이하의 파장에서 투고도가 급격하게 감소하고 있지만, 400nm와 800nm에서는 3200Å 코팅된 샘플을 제외하면 파장 증가에 따라 투과도 변화가 감소하는 방향이다. 하지만, 800nm에서 1100nm에서는 모든 샘플에서 파장에 따라 작지만, 증가하는 것이 확인되었다. 1100nm이상의 파장에서는 모든 샘플에서 공진 현상이 관찰되고 있으며, 기판에 의한 영향으로 판단되는데, 그 이유는 이러한 공진이 되는 파장의 위치가 기판에서 관찰되는 파장과 동일하기 때문이다. 추가적으로, 이 영역에서는 파장이 증가함에 따라 투과도는 감소하는 방향으로 진행된다.

그림 5. (a) 0.5mm와 (b) 5mm 두께의 기판상에 형성된 ITO 박막의 흡수도

Fig. 5. Absorbance of the ITO film formed on substrates with thicknesses of (a) 0.5mm and (b) 5mm

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참고문헌 16에서와 같이 대부분의 문헌에서는 광특성 분석시 파장 영역을 가시광 영역에서 한정하여 연구를 하고 있는데, 그 이유는 이러한 OLED나 LCD 디스플레이에 투명 전극으로 광범위하게 사용되고 있기 때문이다. 연구진도 가시광 영역에서 빛과 물질의 상호 작용에 대해 연구를 집중적으로 하였다. 하지만, 최근에 보다 장파장에서의 분석 장비를 보유함에 따라 이러한 영역에서의 현상을 추가적으로 살펴보고자 하였다. 모든 물질에서 파장이 작을 때는 상대적으로 에너지가 높기 때문에 물질과의 상호 작용에 의하여 투과도나 반사도 보다 흡수도가 높게 나타난다. 하지만, 파장이 증가하면서, 반사도는 3200Å을 제외한 박막 코팅된 샘플들은 450nm와 800nm사이에서 파장에 따라 증가하는 반면, 투과도는 감소한다. 앞에서 언급한 것처럼 800nm이상에서는 반사도는 기판을 포함한 모든 코팅된 샘플에서도 감소하는 경향을 나타내며, 투과도는 코팅되지 않은 얇은 기판은 파장의 변화에 대해 일정하지만, 두꺼운 기판은 공진이 있으며, 이러한 경향은 코팅된 샘플 모두 동일하게 보이며, 기판에 의한 영향임을 알 수 있다.

Fig. 6(a)와 6(b)는 0.5mm와 5mm 두께의 기판상에 형성된 ITO 박막들의 흡수도를 나타내며, 이는 흡수도와 투과도, 반사도를 합하면 100%가 되므로, 각각의 기판에서 100에서 Fig. 4의 반사도, Fig. 5의 투과도를 뺀 값으로 계산된 파장에 따른 결과 값들이다. ITO는 투명 전도막이므로 투과도가 반사도보다 값이 크다. 따라서, 흡수율은 투과도와는 정반대의 경향을 나타냄을 예상할 수 있으며, 각각의 기판에 따라 Fig. 6Fig. 5와는 정반대로 변하는 것을 확인할 수 있다. 추가적으로 흡수도(α)와 투과도(T)는 아래 식과 같은 관계가 있기 때문이다[9].

(1)
$T\approx\exp(-\alpha d)$

(1)에서 d는 형성된 박막의 두께를 나타내며, 이 식으로부터 흡수도가 증가하면, 투과도는 감소하고, 흡수도가 감소하면 투과도는 반대로 증가하는 것으로부터 실험 결과를 뒷받침한다. 하지만, 투과도와 흡수도의 차이점도 존재하며, 다음과 같다. 얇은 글라스상에 형성된 ITO 박막의 경우 파장에 따라 oscillation이 있지만, 흡수도에는 이러한 영향이 전혀 관찰되지 않는다. 그 이유는 반사도에서도 oscillation이 관찰되며, 이 값도 흡수율을 계산하는데 영향을 미치기 때문이다.

다음으로 흡수도에 대해서만 분석한다면, 이 광특성은 3가지 영역으로 구분할 수 있다. 먼저, 400nm 이하인 영역에서는 파장이 감소함에 따라 급격하게 흡수율이 증가하는 것이 확인된다. 이러한 현상은 박막이 없는 bare glass에서도 나타나므로 기판의 흡수에 의한 것이다. 다음으로 400nm에서 800nm 영역으로 이 파장에서는 흡수도가 매우 작다. 800nm 보다 긴 파장에서는 이 값이 증가함에 따라 흡수도가 증가한다.

다음으로 흡수도에 대한 데이터를 이용하여, 직접 밴드갭 반도체에서의 밴드갭(Eg)를 유도할 수 있다. 기본 흡수 영역에서 흡수계수는 광자 에너지(E)와 다음과 같이 표현될 수 있다[9].

(2)
$(\alpha E)^{2}=A(E-E_{g})$

(2)에서 A는 비례 상수를 나타낸다. 두꺼운 글라스에 형성된 흡수도 데이터인 Fig. 6(b)의 경우 1100nm 이상의 파장에서 oscillation이 발생하여 밴드갭 유도가 어렵기 때문에, Fig. 6(a)의 얇은 글라스에 성막된 ITO 흡수도 데이터를 기반으로 (αE)2과 E의 관계를 Fig. 7에 보였다.

그림 6. Fig. 6(a)의 얇은 글라스에 성막된 ITO 흡수도 데이터를 기반으로 (αE)2과 E의 관계를 나타낸 데이터

Fig. 6. Data showing the relationship between (αE)2 and E based on the absorbance data of ITO coated on thin glass in Fig. 6(a)

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그림 7. ITO 박막 증착시 챔버에 공급된 산소의 유량을 1sccm, 1.5sccm, 2sccm, 2.5sccm로 했을 때의 1000Å 박막의 투과도 특성

Fig. 7. Transmittance characteristics of a 1000Å film when the oxygen flow supplied to the chamber during ITO film deposition is set at 1 sccm, 1.5 sccm, 2 sccm, and 2.5 sccm

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DC 스퍼터링된 ITO 필름의 밴드 갭 값은 3.2~4.373eV 범위로 알려져 있다[9-11, 13-17]. 이러한 변화는 증착 중 실험 조건, 즉 증착 후 어닐링, 캐리어 농도로 인한 밴드 갭 확대(Burstein- Moss 효과로 알려짐)로 인해 발생한다. 에너지 증가에 따라 선형적으로 변하는 영역에서 직선을 그어서 x축과 만나는 에너지가 식 2로부터 알 수 있는 것처럼, 박막의 밴드갭이며, 900Å은 3.7eV, 1100Å은 3.66eV, 3200Å은 3.24eV의 값을 가지는 것을 확인할 수 있다. 동일한 물질이지만, 이러한 값의 차이는 증착시 산소를 지속적으로 공급하여 투명 전도막의 캐리어 농도가 달라졌기 때문이다. 이러한 가정은 Table 1에서의 저항 변화로 설명될 수 있다. 뿐만 아니라, 두께가 두꺼워질수록 밴드갭은 감소하는 방향으로 이동한다. 두께에 따라 선형적으로 밴드갭이 변화한다고 가정하면,

(3)
$E_{g}=3.7-B(d-900)$

로 표현할 수 있다. 상기 식의 B는 비례상수로 0.0002eV/Å로 정의할 수 있는 값이다. 또한, 이러한 수식으로부터 두께가 줄어들면, 밴드갭은 증가하는 것을 예상할 수 있으며, 연구에 필요한 밴드갭을 두께를 조절하여 얻을 수 있다. 식 (3)은 향후 다양한 두께에 대한 데이터를 추가로 확보하여 밴드갭과 두께의 상관 관계에 대한 최적화된 수식을 구현할 계획이다.

3.3 증착시 산소 공급량에 따른 1000Å 두께 ITO 막의 특성

3.1절과 3.2절에서는 ITO 막을 증착할 때 산소를 1sccm을 공급하여 두께가 다른 기판상에 형성하였을 때 광 및 전기적인 특성을 분석하였다. 이러한 공정법 때문에 박막의 두께에 따른 표면 형상, 전기적인 저항, 빛의 반응과 연관된 데이터(투과도, 반사도, 흡수도)가 다른 값을 나타내었다. 본 절에서는 산소의 공급량에 따른 영향성을 추가로 관찰하기 위하여 1sccm, 1.5sccm, 2sccm, 2.5sccm에 따른 ITO의 빛과 전기적인 물성을 조사하였다. 이를 위하여 얇은 기판상에 ITO를 형성하였고, 두께는 1000Å으로 광특성은 투과도를 200nm에서 900nm까지 측정하였으며, 그 결과는 Fig. 8과 같다. 실험 방법에서 설명한 바와 같이 1000Å의 두께는 AMOLED 디스플레이의 빛을 투과하는 영역에서 본 연구진이 최적화된 결과 값이며, 이 두께에서 가시광선 영역에서의 특성 분석이 중요하기 때문에 파장의 측정 범위를 900nm까지 설정하였다.

그림 8. ITO 박막 증착시 챔버에 공급된 산소의 유량을 1sccm, 1.5sccm, 2sccm, 2.5sccm로 했을 때의 1000Å 박막의 표면 저항 특성

Fig. 8. Surface resistance characteristics of a 1000Å film when the oxygen flow supplied to the chamber during ITO film deposition is set at 1 sccm, 1.5 sccm, 2 sccm, and 2.5 sccm

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가시광 영역 300nm에서 900nm에서 투과도는 3영역으로 나눌 수 있으며, 먼저 300nm에서 450nm에서는 파장이 증가하면서 투과도도 급격하게 증가하며 1sccm과 1.5sccm에서 형성된 막들이 거의 동일한 값을 가졌으며, 또한 2sccm과 2.5sccm에서 제작된 막들도 비슷한 투과도 데이터를 나타내었다. 다음으로 450nm에서 600nm로 파장의 증가에 따라 투과도가 감소하며, 이 파장에서는 1sccm에서 증착된 막이 가장 낮은 투과도를 보였지만, 다른 조건에서 형성된 막들은 비슷한 값을 보였다. 600nm 이상에서는 각 조건에서 형성된 막들이 명확하게 분리 되며, 산소 농도가 높을수록 투과도는 낮아졌다. AMOLED 디스플레이의 투명 전극[4]으로 사용하기 위해서는 1.5sccm의 산소농도를 공급하여 증착된 ITO가 측정된 가시광 파장 영역에서 평균 투과도가 가장 높다.

다음으로 전도막의 전기적인 특성을 조사하였으며, 그 결과는 Fig. 9와 같다.

산소의 농도가 증가함에 따라 sheet resistance값은 비례적으로 변하는 것이 관찰되며, 산소가 더 높은 농도로 공급되면 형성된 박막에서 산소 농도가 높을 것이다. ITO는 인듐, 주석, 산소를 구성되는 물질로 이 원소 중 산소 농도가 높아지면, 저항이 증가하는 것으로도 해석할 수 있다. 광학 및 전기적인 특성을 함께 고려한다면, 본 연구에서 최적의 ITO 조건은 산소를 1.5sccm 공급하는 것이다.

4. 결 론

본 연구에서는 투명 전도막으로 사용되는 ITO를 DC 스프터 장비로 얇은 글라스 및 두꺼운 플라스틱 기판에 증착하여 광학 및 전기적인 특성 분석을 분석하였다. 실험을 위하여 두 가지 서로 다른 기판상에 ITO 박막의 두께를 900Å, 1100Å, 3200Å 형성하였다. 두께 차이가 크지 않은 900Å과 1100Å을 선택한 이유는 AMOLED 디스플레의 투명 전극으로의 적용을 위한 최적 두께는 1000Å로 이 두께보다 두께운 박막과 보다 얇은 박막의 특성을 파악하여 10%의 차이에 대한 영향성을 검토한 후 양산시 장비의 두께 편차를 고려하기 위함이다. 또한, 3200Å로 두껍게 막을 형성한 이유는 이차전지에 적용하였을 때 매우 우수한 물리적, 전기적인 특성을 나타냈기 때문이다. 따라서, 이러한 두께들에 대한 자세한 분석에 대한 필요성이 요구되었다.

전기적인 표면 저항은 박막의 두께가 증가함에 따라 표면 저항은 29Ω/□에서 16.5MΩ/□으로 급격하게 변화하였다. 이러한 현상은 증착시 챔버에 산소를 1sccm 공급했기 때문이다.

다음으로 빛과 박막의 반응에 대한 분석을 진행하였으며, 두 기판상에 증착된 박막에 의하여 반사도가 증가하는 현상은 일반적이지만, 특이한 점은 1600nm이상의 파장에서는 두 기판 모두 ITO가 증착된 샘플이 박막이 코팅되지 않은 기판보다 낮은 반사도 경향을 나타내었으며 3200Å 샘플에서는 파장이 공진(Oscillation)하는 것이 관찰되었다.

ITO는 투명 전도막이므로 투과도가 반사도보다 값이 크므로, 흡수율은 투과도와는 정반대의 경향을 나타내는 것을 실험적으로도 확인하였다. 또한, 흡수도를 이용하여 박막들의 밴드갭을 알 수 있었으며, 두께가 두꺼울수록 밴드갭이 작아지는 것을 확인하였다. 이러한 현상들은 공정시 챔버에 산소를 1sccm 공급하여 전체 막의 산소 농도를 높였기 때문이다.

1000Å 두께 ITO 막은 본 연구진이 현재 집중적으로 연구하고 있는 AMOLED의 투명 전극으로의 적용을 위하여 산소 농도에 따른 투과도 및 표면 저항에 대해 자세히 검토하였다. 디스플레이에는 가시광 영역의 빛의 특성이 중요하므로 투과도의 경우 200nm에서 900nm까지 측정하였다. 산소의 농도가 증가함에 따라 sheet resistance값은 비례적으로 변하였다. 이러한 특성들을 바탕으로 AMOLED의 투명전극으로 적용하기 위한 최적의 조건은 산소를 1.5sccm 공급하는 것이다. 향후 본 연구 내용을 AMOLED의 투명 전극 제작에 적용할 것이다.

Acknowledgements

This work was supported by the Semiconductor major track (Materials, Components, Equipment) project supported by the Ministry of Education and the Ministry of Trade, Industry and Energy (No. P0022196).

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저자소개

김경보 (Kim, Kyoung-Bo)
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He received a Ph.D. in Materials Science and Engineering from Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Republic of Korea, in 2000. He is currently professor at Inha Technical Colledge. His technical interests and expertise are in the field of electronic materials synthesis, thin film transistors, and semiconductor device fabrications.

E-mail : kbkim@inhatc.ac.kr

https://orcid.org/0000-0002-5863-3164

정금관 (Jung, Geumkwan)
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He is currently an undergraduate student in electrical engineering at Kangnam University in Yongin, South Korea. He began his studies in 2019 and expects to complete his undergraduate studies and obtain his bachelor's degree by 2025. His technical interests are in semiconductor process technology and semiconductor device analysis.

E-mail : ggj9476@naver.com

https://orcid.org/0009-0003-5020-1513

김신우 (Kim, Sinwoo)
../../Resources/kiee/KIEE.2024.73.2.453/au3.png

He is currently an undergraduate student in electrical engineering at Kangnam University in Yongin, South Korea. He began his studies in 2019 and expects to complete his undergraduate studies and obtain his bachelor's degree by 2025. His technical interests are in circuit design and semiconductor device analysis.

E-mail : fb771468@gmail.com

https://orcid.org/0009-0007-6238-7043

김무진 (Kim, Moojin)
../../Resources/kiee/KIEE.2024.73.2.453/au4.png

He received a Ph.D. in Electronic Engineering from Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Republic of Korea, in 2005. He is currently a professor at Kangnam University. His technical interests and expertise are in the field of electronic circuits and thin film transistors, and semiconductor device analysis.

E-mail : moojinkim7@kangnam.ac.kr

https://orcid.org/0000-0002-3626-3465